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SVF13N50TのメーカーはSLです、この部品の機能は「500V N-channel enhancement mode MOSFET」です。 |
部品番号 | SVF13N50T |
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部品説明 | 500V N-channel enhancement mode MOSFET | ||
メーカ | SL | ||
ロゴ | |||
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东森微电子
SVF13N50T/F/PN 说明书
13A、500V N沟道增强型场效应管
描述
SVF13N50T/F/PN N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体
管采用SL电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。
先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电
阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源,DC-DC 电源转换
器,高压 H 桥 PWM 马达驱动。
特点
∗ 13A,500V,RDS(ON)(典型值)=0.44Ω@VGS=10V
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
∗ 提升了 dv/dt 能力
命名规则
2
1
3
1.栅极 2.漏极 3.源极
TO-3PN
1
23
TO-220F-3L
12
3
TO-220-3L
产品规格分类
产品名称
SVF13N50T
SVF13N50F
SVF13N50PN
封装形式
TO-220-3L
TO-220F-3L
TO-3PN
打印名称
SVF13N50T
SVF13N50F
13N50
材料
无铅
无铅
无铅
包装形式
料管
料管
料管
昆山东森微电子有限公司
Http://www.ksmcu.com
版本号:11
2011.09.01
共9页 第1页
1 Page SVF13N50T/F/PN 说明书
源-漏二极管特性参数
参数名称
符号
测试条件
源极电流
IS MOS 管中源极、漏极构成的
源极脉冲电流
ISM 反偏 P-N 结
源-漏二极管压降
VSD IS=13A,VGS=0V
反向恢复时间
Trr IS=13A,VGS=0V,
反向恢复电荷
Qrr dIF/dt=100A/µS (Note 2)
注:
1. L=30mH,IAS=6.66A,VDD=140V,RG=25Ω,开始温度 TJ=25°C;
2. 脉冲测试: 脉冲宽度≤300μs,占空比≤2%;
3. 基本上不受工作温度的影响。
最小值
--
--
--
--
--
典型值
--
--
--
450
4.2
最大值
13
52
1.3
--
--
单位
A
V
ns
µC
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版本号:11
2011.09.01
共9页 第3页
3Pages SVF13N50T/F/PN 说明书
典型测试电路
栅极电荷量测试电路及波形图
与待测器件
VGS
参数一致
50KΩ
VDS
10V
12V 200nF
300nF
Qg
Qgs Qgd
VGS
3mA
待测器件
电荷量
VDS
VGS
RG
10V
开关时间测试电路及波形图
RL
VDD
待测器件
VDS
90%
10%
VGS
td(on)
tr
ton
td(off)
tf
toff
RG
10V
tp
VDS
ID
EAS测试电路及波形图
L
EAS =
LIAS2
BVDSS1
BVDSS
2BVDSS - VDD
IAS
待测器件
VDD
VDD
ID(t)
tp
VDS(t)
Time
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版本号:11
2011.09.01
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ページ | 合計 : 9 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ SVF13N50T データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
SVF13N50F | 500V N-channel enhancement mode MOSFET | SL |
SVF13N50PN | 500V N-channel enhancement mode MOSFET | SL |
SVF13N50T | 500V N-channel enhancement mode MOSFET | SL |