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SVF13N50T の電気的特性と機能

SVF13N50TのメーカーはSLです、この部品の機能は「500V N-channel enhancement mode MOSFET」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 SVF13N50T
部品説明 500V N-channel enhancement mode MOSFET
メーカ SL
ロゴ SL ロゴ 




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SVF13N50T Datasheet, SVF13N50T PDF,ピン配置, 機能
东森微电子
SVF13N50T/F/PN 说明书
13A500V N沟道增强型场效应管
描述
SVF13N50T/F/PN N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体
管采用SL电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。
先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电
阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源,DC-DC 电源转换
器,高压 H PWM 马达驱动。
特点
13A500VRDS(ON)(典型值)=0.44@VGS=10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了 dv/dt 能力
命名规则
2
1
3
1.栅极 2.漏极 3.源极
TO-3PN
1
23
TO-220F-3L
12
3
TO-220-3L
产品规格分类
产品名称
SVF13N50T
SVF13N50F
SVF13N50PN
封装形式
TO-220-3L
TO-220F-3L
TO-3PN
打印名称
SVF13N50T
SVF13N50F
13N50
材料
无铅
无铅
无铅
包装形式
料管
料管
料管
昆山东森微电子有限公司
Http://www.ksmcu.com
版本号:11
2011.09.01
9页 第1

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SVF13N50T pdf, ピン配列
SVF13N50T/F/PN 说明书
-漏二极管特性参数
参数名称
符号
测试条件
源极电流
IS MOS 管中源极、漏极构成的
源极脉冲电流
ISM 反偏 P-N
-漏二极管压降
VSD IS=13AVGS=0V
反向恢复时间
Trr IS=13AVGS=0V
反向恢复电荷
Qrr dIF/dt=100A/µS (Note 2)
注:
1. L=30mHIAS=6.66AVDD=140VRG=25,开始温度 TJ=25°C
2. 脉冲测试: 脉冲宽度300μs,占空比2%
3. 基本上不受工作温度的影响。
最小值
--
--
--
--
--
典型值
--
--
--
450
4.2
最大值
13
52
1.3
--
--
单位
A
V
ns
µC
昆山东森微电子有限公司
Http://www.ksmcu.com
版本号:11
2011.09.01
9页 第3


3Pages


SVF13N50T 電子部品, 半導体
SVF13N50T/F/PN 说明书
典型测试电路
栅极电荷量测试电路及波形图
与待测器件
VGS
参数一致
50K
VDS
10V
12V 200nF
300nF
Qg
Qgs Qgd
VGS
3mA
待测器件
电荷量
VDS
VGS
RG
10V
开关时间测试电路及波形图
RL
VDD
待测器件
VDS
90%
10%
VGS
td(on)
tr
ton
td(off)
tf
toff
RG
10V
tp
VDS
ID
EAS测试电路及波形图
L
EAS =
LIAS2
BVDSS1
BVDSS
2BVDSS - VDD
IAS
待测器件
VDD
VDD
ID(t)
tp
VDS(t)
Time
昆山东森微电子有限公司
Http://www.ksmcu.com
版本号:11
2011.09.01
9页 第6

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ページ 合計 : 9 ページ
 
PDF
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[ SVF13N50T データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
SVF13N50F

500V N-channel enhancement mode MOSFET

SL
SL
SVF13N50PN

500V N-channel enhancement mode MOSFET

SL
SL
SVF13N50T

500V N-channel enhancement mode MOSFET

SL
SL


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