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Número de pieza | TK65A10N1 | |
Descripción | MOSFETs | |
Fabricantes | Toshiba Semiconductor | |
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No Preview Available ! MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)
TK65A10N1
1. Applications
• Switching Voltage Regulators
2. Features
(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 4.0 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)
(2) Low leakage current: IDSS = 10 µA (max) (VDS = 100 V)
(3) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)
3. Packaging and Internal Circuit
TK65A10N1
TO-220SIS
1: Gate
2: Drain
3: Source
1 2013-08-20
Rev.3.0
1 page 8. Characteristics Curves (Note)
TK65A10N1
Fig. 8.1 ID - VDS
Fig. 8.2 ID - VDS
Fig. 8.3 ID - VGS
Fig. 8.4 VDS - VGS
Fig. 8.5 RDS(ON) - ID
Fig. 8.6 RDS(ON) - Ta
5 2013-08-20
Rev.3.0
5 Page |
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PDF Descargar | [ Datasheet TK65A10N1.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
TK65A10N1 | MOSFETs | Toshiba Semiconductor |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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