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PDF SEMIX171KH16S Data sheet ( 特性 )

部品番号 SEMIX171KH16S
部品説明 Rectifier Thyr./Diode Module
メーカ Semikron International
ロゴ Semikron International ロゴ 

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SEMIX171KH16S Datasheet, SEMIX171KH16S PDF,ピン配置, 機能
SEMiX171KH16s
SEMiX®1s
Rectifier Thyr./Diode Module
SEMiX171KH16s
Preliminary Data
Features
Terminal height 17 mm
Chips soldered directly to isolated
substrate
Typical Applications
Input Bridge Rectifier for
AC/DC motor control
power supply
Absolute Maximum Ratings
Symbol Conditions
Chip
IT(AV)
ITSM
i2t
i2t
VRSM
VRRM
VDRM
(di/dt)cr
(dv/dt)cr
Tj
Module
Tstg
Visol
sinus 180°
10 ms
10 ms
Tj = 130 °C
Tj = 130 °C
AC sinus 50Hz
Tc = 85 °C
Tc = 100 °C
Tj = 25 °C
Tj = 130 °C
Tj = 25 °C
Tj = 130 °C
1 min
1s
Characteristics
Symbol Conditions
Chip
VT
VT(TO)
rT
IDD;IRD
tgd
tgr
tq
IH
IL
VGT
IGT
VGD
IGD
Rth(j-c)
Rth(j-c)
Rth(j-c)
Tj = 25 °C, IT = 500 A
Tj = 130 °C
Tj = 130 °C
Tj = 130 °C, VDD = VDRM; VRD = VRRM
Tj = 25 °C, IG = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
VD = 0.67 * VDRM
Tj = 130 °C
Tj = 25 °C
Tj = 25 °C, RG = 33
Tj = 25 °C, d.c.
Tj = 25 °C, d.c.
Tj = 130 °C, d.c.
Tj = 130 °C, d.c.
per thyristor
per diode
sin. 180°
per thyristor
per diode
per thyristor
per diode
Module
Rth(c-s)
Ms
Mt
a
w
per module
to heat sink (M5)
to terminals (M6)
Values
170
125
5400
4800
146
115
1700
1600
1600
200
1000
-40 ... 130
-40 ... 125
4000
4800
Unit
A
A
A
A
kA2s
kA2s
V
V
V
A/µs
V/µs
°C
°C
V
V
min.
2
150
3
2.5
typ. max. Unit
1.6 V
0.85 V
1.5 m
60 mA
1 µs
2 µs
µs
150 400 mA
300 1000 mA
V
mA
0.25 V
10 mA
K/W
K/W
0.18 K/W
0.18 K/W
K/W
K/W
K/W
0.075 K/W
5 Nm
5 Nm
5 * 9,81 m/s2
145 g
KH
© by SEMIKRON
Rev. 1 – 09.12.2008
1

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