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40N25のメーカーはFairchild Semiconductorです、この部品の機能は「FQA40N25」です。 |
部品番号 | 40N25 |
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部品説明 | FQA40N25 | ||
メーカ | Fairchild Semiconductor | ||
ロゴ | |||
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FQA40N25
N-Channel QFET® MOSFET
250 V, 40 A, 70 mΩ
April 2014
Description
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is
produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary
planar stripe and DMOS technology. This advanced
MOSFET technology has been especially tailored to
reduce on-state resistance, and to provide superior
switching performance and high avalanche energy
strength. These devices are suitable for switched mode
power supplies, active power factor correction (PFC), and
electronic lamp ballasts.
Features
• 40 A, 250 V, RDS(on) = 70 mΩ (Max.) @ VGS = 10 V,
ID = 20 A
• Low Gate Charge ( Typ. 85nC)
• Low Crss ( Typ. 70pF)
• 100% Avalanche Tested
D
G
DS
TO-3PN
G
S
Absolute Maximum Ratings TC = 25oC unless otherwise noted.
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©2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FQA40N25 Rev. C2
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www.fairchildsemi.com
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©2000 Fairchild Semiconductor Corporation
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www.fairchildsemi.com
3Pages DUT
I SD
Driver
RG
VGS
+
VDS
_
L
Same Type
as DUT
• dv/dt controlled by RG
•I SD controlled by pulse period
VDD
VGS
( Driver )
D
=
--G--a--t-e--P---u-l-s-e---W---i-d-t-h--
Gate Pulse Period
10V
I SD
( DUT )
VDS
( DUT )
IFM , Body Diode Forward Current
di/dt
IRM
Body Diode Reverse Current
Body Diode Recovery dv/dt
VSD
VDD
Body Diode
Forward Voltage Drop
Figure 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
©2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FQA40N25 Rev. C2
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ページ | 合計 : 8 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ 40N25 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
40N25 | N-Channel MOSFET Transistor | Inchange Semiconductor |
40N25 | FQA40N25 | Fairchild Semiconductor |