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IXFN180N20 の電気的特性と機能

IXFN180N20のメーカーはIXYSです、この部品の機能は「Power MOSFETs Single Die MOSFET」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 IXFN180N20
部品説明 Power MOSFETs Single Die MOSFET
メーカ IXYS
ロゴ IXYS ロゴ 




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IXFN180N20 Datasheet, IXFN180N20 PDF,ピン配置, 機能
HiPerFETTM
Power MOSFETs
IXFN 180N20
Single Die MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr
D
Preliminary data
Symbol
Test Conditions
S
Maximum Ratings
VDSS
VDGR
VGS
VGSM
I
D25
I
L(RMS)
I
DM
I
AR
EAR
EAS
dv/dt
P
D
TJ
TJM
Tstg
VISOL
Md
TJ = 25°C to 150°C
TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MW
Continuous
Transient
T
C
=
25°C,
Chip
capability
Terminal current limit
T
C
=
25°C,
pulse
width
limited
by
T
JM
T
C
= 25°C
TC = 25°C
TC = 25°C
IS £ IDM, di/dt £ 100 A/ms, VDD £ VDSS,
TJ £ 150°C, RG = 2 W
T
C
= 25°C
50/60 Hz, RMS t = 1 min
IISOL£ 1 mA
t=1s
Mounting torque
Terminal connection torque
200 V
200 V
±20 V
±30 V
180 A
100 A
720 A
36 A
64 mJ
4J
5 V/ns
700 W
-55 ... +150
150
-55 ... +150
°C
°C
°C
2500
3000
V~
V~
1.5/13 Nm/lb.in.
1.5/13 Nm/lb.in.
Weight
30 g
VDSS = 200 V
ID25 = 180 A
=RDS(on) 10 mW
trr < 250 ns
miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)
E153432
S
G
S
D
G = Gate
S = Source
D = Drain
Either Source terminal at miniBLOC can be used
as Main or Kelvin Source
Features
• International standard packages
• miniBLOC, with Aluminium nitride
isolation
• Low R HDMOSTM process
DS (on)
• Rugged polysilicon gate cell structure
• Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
• Low package inductance
• Fast intrinsic Rectifier
Symbol
V
DSS
V
GH(th)
IGSS
IDSS
RDS(on)
Test Conditions
V = 0 V, I = 3 mA
GS D
V = V , I = 8 mA
DS GS D
VGS = ±20 VDC, VDS = 0
VDS = VDSS
VGS = 0 V
VGS = 10 V, ID = 0.5 • ID25
Pulse test, t £ 300 ms,
duty cycle d £ 2 %
Characteristic Values
(T
J
=
25°C,
unless
otherwise
specified)
min. typ. max.
200
2
TJ = 25°C
TJ = 125°C
V
4V
±200 nA
100 mA
2 mA
10 mW
Applications
• DC-DC converters
• Battery chargers
• Switched-mode and resonant-mode
power supplies
• DC choppers
• Temperature and lighting controls
Advantages
• Easy to mount
• Space savings
• High power density
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
© 2000 IXYS All rights reserved
98551B (7/00)
1-2
http://www.Datasheet4U.com

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ダウンロード
[ IXFN180N20 データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
IXFN180N20

Power MOSFETs Single Die MOSFET

IXYS
IXYS
IXFN180N25T

GigaMOS Power MOSFET

IXYS
IXYS


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