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UTD410のメーカーはUNISONIC TECHNOLOGIESです、この部品の機能は「N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE」です。 |
部品番号 | UTD410 |
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部品説明 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE | ||
メーカ | UNISONIC TECHNOLOGIES | ||
ロゴ | |||
このページの下部にプレビューとUTD410ダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。 Total 5 pages
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
UTD410
N-CHANNEL
ENHANCEMENT MODE
Power MOSFET
DESCRIPTION
The UTD410 can prov ide excellent R DS(ON) and low g ate
charge b y us ing adva nced tr ench tech nology. T his UTD410 is
suitable for using as a load switch or in PWM applications.
FEATURES
* VDS=30V, ID=8A
* RDS(ON) =48mΩ @VGS =10V
SYMBOL
1
SOT-223
1
TO-252
ORDERING INFORMATION
Ordering Number
Lead Free
Halogen Free
UTD410L-TN3-R UT
D410G-TN3-R
UTD410L-TN3-T UT
D410G-TN3-T
UTD410L-AA3-R UT
D410G-AA3-R
Package
TO-252
TO-252
SOT-223
Pin Assignment
123
GDS
GDS
GDS
Packing
Tape Reel
Tube
Tape Reel
www.unisonic.com.tw
Copyright © 2013 Unisonic Technologies Co., Ltd
1 of 3
QW-R502-142.B
http://www.Datasheet4U.com
1 Page UTD410
TYPICAL CHARACTERISTICS
Power MOSFET
On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
190
170
150
130 ID=8A
110
90 125℃
70
50 25℃
30
10
0 3 4 6 8 10
Gate-Source Voltage, VGS (V)
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
1.0E+01
Body-Diode Characteristics
1.0E+00
1.0E-01
1.0E-02
1.0E-03
125℃
1.0E-04
25℃
1.0E-05
1.0E-06
0.0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
Source-Drain Voltage, VSD (V)
1.2
3 of 5
QW-R502-142.B
3Pages | |||
ページ | 合計 : 5 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ UTD410 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
UTD410 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE | UNISONIC TECHNOLOGIES |
UTD413 | P-CHANNEL MOSFET | Unisonic Technologies |