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PDF 2N3906 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | 2N3906 | |
| Descripción | Silicon PNP Transistor | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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 1. -40V, PNP Transistor - KEC  Hay una vista previa y un enlace de descarga de 2N3906 (archivo pdf) en la parte inferior de esta página. Total 3 Páginas | ||
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2N3905 & 2N3906
Silicon PNP Transistor
General Purpose
TO92 Type Package
Absolute Maximum Ratings:
Collector−Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V
Collector−Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V
Emitter−Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mA
Total
DDeveircaeteDAisbsoipvaeti2o5n5(CTA.
=
..
+255C),
.......
.P.D.
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. . 625mW
5.0mW/5C
Total Device Dissipation (TA = +605C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250mW
Total
DDeveircaeteDAisbsoipvaeti2o5n5(CTC.
=
..
.+.2.5.5.C.).,.P. D. .
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. . . . 1.5W
12mW/5C
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −555 to +1505C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −555 to +1505C
Thermal Resistance, Junction to Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83.35C/W
Thermal Resistance, Junction to Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2005C/W
Electrical Characteristics: (TA = +255C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
OFF Characteristics
Collector−Emitter Breakdown Voltage
Collector−Base Breakdown Voltage
Emitter−Base Breakdown Voltage
Collector Cutoff Current
Base Cutoff Current
ON Characteristics (Note 1)
V(BR)CEO
V(BR)CBO
V(BR)EBO
ICEX
IBL
IC = 1mA, IB = 0, Note 1
IC = 105 A, IE = 0
IE = 105 A, IC = 0
VCE = 30V, VEB = 3V
VCE = 30V, VEB = 3V
DC Current Gain
2N3905
hFE VCE = 1V, IC = 0.1mA
2N3906
2N3905
2N3906
VCE = 1V, IC = 1mA
Min Typ Max Unit
40 − −
40 − −
5−−
− − 50
− − 50
V
V
V
nA
nA
30 −
60 −
40 −
80 −
−
−
−
−
2N3905
2N3906
2N3905
2N3906
2N3905
2N3906
VCE = 1V, IC = 10mA
VCE = 1V, IC = 50mA
VCE = 1V, IC = 100mA
50 − 150
100 − 300
30 − −
60 − −
15 − −
30 − −
Note 1. Pulse Test: Pulse Width 3 3005 s, Duty Cycle 3 2%.
http://www.Datasheet4U.com
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| 2N3902 | HIGH VOLTAGE NPN SILICON TRANSISTORS |  Boca Semiconductor Corporation |
| 2N3902 | Bipolar Transistor |  Multicomp |
| 2N3902 | NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR |  Microsemi |
| 2N3902 | Bipolar NPN Device |  Seme LAB |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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