|
|
SKP202のメーカーはSANKENです、この部品の機能は「N-Channel MOS FET」です。 |
部品番号 | SKP202 |
| |
部品説明 | N-Channel MOS FET | ||
メーカ | SANKEN | ||
ロゴ | |||
このページの下部にプレビューとSKP202ダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。 Total 9 pages
N-Channel MOS FET
SKP202
■Features
●Low on-resistance
●Low input capacitance
●Avalanche energy capability guaranteed
■Package---TO-263
March. 2007
■Applications
●PDP driving
●High speed switching
■Equivalent circuit
D (2)
G (1)
S (3)
■Absolute maximum ratings
Parameter Sy
mbol
Rating
(Ta=25°C)
Unit
Drain to Source Voltage
VDSS 20
0V
Gate to Source Voltage
VGSS ±3
0V
Continuous Drain Current
ID ±
45A A
Pulsed Drain Current
ID(pulse) *1 ±1
80A
A
Maximum Power Dissipation
PD 95
(Tc=25°C)
W
Single Pulse Avalanche Energy
EAS *2 20
0 mJ
Avalanche Current IAS 45 A
Channel Temperature
Tch 15
0 °C
Storage Temperature
Tstg -55 to 150
*1 PW≤100μs,duty cycle≤1%
*2 V DD=20V, L=180μH,ILp=45A, unclamped, RG=50Ω, See Fig.1
°C
Sanken Electric Co., Ltd.
http://www.sanken-ele.co.jp/en/
1/9
T02-007EA-070227
http://www.Datasheet4U.com
1 Page N-Channel MOS FET
SKP202
March. 2007
Characteristic Curves
(Tc=25℃)
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
02
ID-VDS Characteristics (typical)
VGS=10V
6. 0V
46
VDS (V)
8
5. 5V
5. 0V
4. 5 V
10
RDS(ON)-ID Characteristics (typical)
V G S=10V
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
ID (A)
RDS(on)-Tc Characteristics (typical)
ID=22A
VGS=10V
150
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
02
ID-VGS Characteristics (typical)
VDS=10V
125℃
25℃
Tc=- 55℃
46
VGS (V)
8
10
VDS-VGS Characteristics (typical)
5
4
3
ID=45A
2
22A
1
0
1 10 100
VG S (V)
100
50
0
-100
-50
0 50
Tc (℃)
100 150
Sanken Electric Co., Ltd.
3/9
T02-007EA-070227
3Pages N-Channel MOS FET
SKP202
T O-263
External dimensions
March. 2007
(1) (2) (3)
Weight Ap prox. 1.5g
(1) Gate
(2) Drain (Back Side)
(3) Source
Sanken Electric Co., Ltd.
6/9
T02-007EA-070227
6 Page | |||
ページ | 合計 : 9 ページ | ||
|
PDF ダウンロード | [ SKP202 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
SKP202 | N-Channel MOS FET | SANKEN |