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PDF 2SC2929 Data sheet ( 特性 )

部品番号 2SC2929
部品説明 Silicon NPN Power Transistor
メーカ INCHANGE
ロゴ INCHANGE ロゴ 

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2SC2929 Datasheet, 2SC2929 PDF,ピン配置, 機能
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
DESCRIPTION
·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 400V(Min)
·High Switching Speed
·High Reliability
APPLICATIONS
·Switching regulators
·Ultrasonic generators
·High frequency inverters
·General purpose power amplifiers
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
450 V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
400 V
VCEO(SUS) Collector-Emitter Voltage
400 V
VEBO
Emitter-Base voltage
7V
IC Collector Current-Continuous 3 A
IBB Base Current-Continuous
PC
Collector Power Dissipation
@ TC=25
TJ Junction Temperature
Tstg Storage Temperature Range
1
40
150
-45~150
A
W
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
MAX UNIT
Rth j-c
Thermal Resistance,Junction to Case 3.0 /W
isc Product Specification
2SC2929
isc Websitewww.iscsemi.cn
Free Datasheet http://www.datasheet4u.net/

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