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HK1235 PDF Datasheet ( 特性, スペック, ピン接続図 )

部品番号 HK1235
部品説明 HK1235
メーカ ETC
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HK1235 Datasheet, HK1235 PDF,ピン配置, 機能
HK1235 使用说明书
一. 引脚 排列
PIN 排列
A14 1
A1 2
28
27
A3
26
A4
25
A5
24
A6
23
A7
22
A8
21
A9
20
A 10
19
DQ 11
18
DQ 12
17
DQ 13
16
GN 14
15
Vcc
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
PIN 描述
A0-A14 -Address input
CE -Chip EnableLow Enable
GND -Ground
DQ0- -Data In/Out
Vcc -Power (+5V)
WE -WriteEnableLowEnable
OE -OutputEnableLowEnable
NC -No Connect
二. 读取 模式
HK1235 WE(写使能)被禁止(high)且 CE(片选)被选中(Low)并
OE(读信号)被使能(Low)执行一次读循环。15 个地址输入线(A0-A14
指定的唯一的地址定义将要被访问。最后输入信号稳定后 8 位数据输出驱动
器将在 tACC 时序内得到有效数据。
三、写模式
地址输入稳定后,HK1235 WE CE 信号处于激活(低电平)状态为
写 模式。最后出现的 CE WE 下降沿将决定写循环的开始,写循环
终止于 CE WE 前边的上升边沿。在写循环内所有地址输入必须保持
有效。在下 一个循环能被初始化前,WE 写信号必须将高电平保持最少记
录时间(tWR. 写循环期间 OE 控制信号应当保持失效(高电平),避免总线
冲突,如果输 出总线已经有效(CE OE 激活),则写信号可以在 tODW
时序内从下降边 沿开始禁止输出。
四、数据保存模式
HK1235 Vcc 提供全部功能,当 VCC 大于 4.5 伏或 4.75 ,写保护为
4.35
伏或 4.75 伏。当 Vcc 掉电时保存数 据,没有 任何附加 支持电 路的
需 要。 HK1235 通常监视 Vcc。如果电源电压降低,RAM 自动写保护
其本身。所 有对 RAM 的输入变为不接收,所有输出为高电阻。当 Vcc
降低到大约3.0 伏时,电源转换电路将用锂电源向 RAM 供电保存数据。
电压升高时, 当 Vcc 升高到大约 3.0 伏时,电压转换电路将外部 Vcc
RAM 连接。正常 RAM 操作在 Vcc 超过 4.5 伏或 4.75 伏后能够重
新开始。
五、出厂状态及运输
HK1235 从半导体出厂均保证满电量。运输及使用中的重力加速度不应 超出 1.5G
则影响寿命。
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