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IKW15N120H3のメーカーはInfineonです、この部品の機能は「IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )」です。 |
部品番号 | IKW15N120H3 |
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部品説明 | IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) | ||
メーカ | Infineon | ||
ロゴ | |||
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IGBT
HighspeedDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecovery
anti-paralleldiode
IKW15N120H3
1200Vhighspeedswitchingseriesthirdgeneration
Datasheet
IndustrialPowerControl
1 Page IKW15N120H3
Highspeedswitchingseriesthirdgeneration
TableofContents
Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Table of Contents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
Maximum Ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Thermal Resistance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Electrical Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
Electrical Characteristics Diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
Package Drawing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15
Testing Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16
Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .17
Disclaimer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .17
3 Rev.2.1,2014-12-01
3Pages IKW15N120H3
Highspeedswitchingseriesthirdgeneration
SwitchingCharacteristic,InductiveLoad
Parameter
Symbol Conditions
IGBTCharacteristic,atTvj=25°C
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Turn-on energy
Turn-off energy
Total switching energy
td(on)
tr
td(off)
tf
Eon
Eoff
Ets
Tvj=25°C,
VCC=600V,IC=15.0A,
VGE=0.0/15.0V,
RG(on)=35.0Ω,RG(off)=35.0Ω,
Lσ=95nH,Cσ=67pF
Lσ,CσfromFig.E
Energy losses include “tail” and
diode reverse recovery.
min.
Value
typ.
max. Unit
- 21 - ns
- 34 - ns
- 260 - ns
- 14 - ns
- 1.10 - mJ
- 0.45 - mJ
- 1.55 - mJ
DiodeCharacteristic,atTvj=25°C
Diode reverse recovery time
trr
Diode reverse recovery charge
Qrr
Diode peak reverse recovery current Irrm
Diode peak rate of fall of reverse
recoverycurrentduringtb
dirr/dt
Tvj=25°C,
VR=600V,
IF=15.0A,
diF/dt=500A/µs
- 260 - ns
- 0.80 - µC
- 7.7 - A
- -110 - A/µs
SwitchingCharacteristic,InductiveLoad
Parameter
Symbol Conditions
IGBTCharacteristic,atTvj=175°C
Turn-on delay time
td(on)
Rise time
tr
Turn-off delay time
td(off)
Fall time
tf
Turn-on energy
Eon
Turn-off energy
Eoff
Total switching energy
Ets
Tvj=175°C,
VCC=600V,IC=15.0A,
VGE=0.0/15.0V,
RG(on)=35.0Ω,RG(off)=35.0Ω,
Lσ=95nH,Cσ=67pF
Lσ,CσfromFig.E
Energy losses include “tail” and
diode reverse recovery.
min.
Value
typ.
max. Unit
- 19 - ns
- 30 - ns
- 327 - ns
- 43 - ns
- 1.60 - mJ
- 0.90 - mJ
- 2.50 - mJ
DiodeCharacteristic,atTvj=175°C
Diode reverse recovery time
trr
Diode reverse recovery charge
Qrr
Diode peak reverse recovery current Irrm
Diode peak rate of fall of reverse
recoverycurrentduringtb
dirr/dt
Tvj=175°C,
VR=600V,
IF=15.0A,
diF/dt=500A/µs
- 470 - ns
- 1.70 - µC
- 9.8 - A
- -80 - A/µs
6 Rev.2.1,2014-12-01
6 Page | |||
ページ | 合計 : 16 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ IKW15N120H3 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
IKW15N120H3 | IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) | Infineon |