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IGW15N120H3のメーカーはInfineonです、この部品の機能は「IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )」です。 |
部品番号 | IGW15N120H3 |
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部品説明 | IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) | ||
メーカ | Infineon | ||
ロゴ | |||
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IGBT
HighspeedIGBTinTrenchandFieldstoptechnology
IGW15N120H3
1200Vhighspeedswitchingseriesthirdgeneration
Datasheet
IndustrialPowerControl
1 Page IGW15N120H3
Highspeedswitchingseriesthirdgeneration
TableofContents
Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Table of Contents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
Maximum Ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Thermal Resistance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Electrical Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Electrical Characteristics Diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
Package Drawing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12
Testing Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .13
Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14
Disclaimer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14
3 Rev.2.1,2014-12-01
3Pages IGW15N120H3
Highspeedswitchingseriesthirdgeneration
70 100
60
50
40
TC=80°
TC=110°
30
TC=80°
20 TC=110°
tp=1µs
10 10µs
50µs
100µs
200µs
500µs
1
DC
10
0
1 10 100 1000
f,SWITCHINGFREQUENCY[kHz]
Figure 1. Collectorcurrentasafunctionofswitching
frequency
(Tj≤175°C,D=0.5,VCE=600V,VGE=15/0V,
rG=35Ω)
0.1
1 10 100 1000
VCE,COLLECTOR-EMITTERVOLTAGE[V]
Figure 2. Forwardbiassafeoperatingarea
(D=0,TC=25°C,Tj≤175°C;VGE=15V)
250 30
200
20
150
100
10
50
0
25 50 75 100 125 150 175
TC,CASETEMPERATURE[°C]
Figure 3. Powerdissipationasafunctionofcase
temperature
(Tj≤175°C)
0
25 50 75 100 125 150 175
TC,CASETEMPERATURE[°C]
Figure 4. Collectorcurrentasafunctionofcase
temperature
(VGE≥15V,Tj≤175°C)
6 Rev.2.1,2014-12-01
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ページ | 合計 : 14 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ IGW15N120H3 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
IGW15N120H3 | IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) | Infineon |