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2SC3355のメーカーはInchange Semiconductorです、この部品の機能は「Silicon NPN RF Transistor」です。 |
部品番号 | 2SC3355 |
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部品説明 | Silicon NPN RF Transistor | ||
メーカ | Inchange Semiconductor | ||
ロゴ | |||
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INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN RF Transistor
isc RF Product Specification
2SC3355
DESCRIPTION
·Low Noise and High Gain
NF = 1.1 dB TYP., Ga = 8.0 dB TYP.
@VCE = 10 V, IC = 7 mA, f = 1.0 GHz
NF = 1.1 dB TYP., Ga = 9.0 dB TYP.
@VCE = 10 V, IC = 40 mA, f = 1.0 GHz
·High Power Gain
MAG = 11 dB TYP. @VCE = 10 V, IC = 20 mA, f = 1.0 GHz
APPLICATIONS
·Designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV
band.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO Collector-Base Voltage
20 V
VCEO Collector-Emitter Voltage
12 V
VEBO Emitter-Base Voltage
3.0 V
IC Collector Current-Continuous
PC
Collector Power Dissipation
@TC=25℃
TJ Junction Temperature
Tstg Storage Temperature Range
0.1 A
0.6 W
150 ℃
-65~150
℃
isc Website:www.iscsemi.cn
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/
1 Page INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN RF Transistor
isc RF Product Specification
2SC3355
isc Website:www.iscsemi.cn
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/
3Pages INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN RF Transistor
S-PARAMETER
S11e, S22e-FREQUENCY CONDITION VCE = 10 V
isc RF Product Specification
2SC3355
S21e-FREQUENCY CONDITION VCE = 10 V
IC = 40 mA
S12e-FREQUENCY CONDITION VCE = 10 V
IC = 40 mA
isc Website:www.iscsemi.cn
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Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/
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ページ | 合計 : 6 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ 2SC3355 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
2SC3352 | SILICON POWER TRANSISTOR | SavantIC |
2SC3353 | Power Transistor | Inchange Semiconductor |
2SC3354 | Silicon NPN epitaxial planer type(For high-frequency amplification/oscillation/mixing) | Panasonic Semiconductor |
2SC3355 | HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR | NEC |