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2SC3133 の電気的特性と機能

2SC3133のメーカーはASIです、この部品の機能は「NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 2SC3133
部品説明 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
メーカ ASI
ロゴ ASI ロゴ 




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2SC3133 Datasheet, 2SC3133 PDF,ピン配置, 機能
2SC3133
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The ASI 2SC3133 is Designed for RF
Power amplifiers in HF band mobile radio
Applications.
MAXIMUM RATINGS
IC 6.0 A
VCE 25 V
VCB 60 V
PDISS
20 W @ TC = 25 °C
TSTG
-65 °C to +150 °C
θJC 6.25 °C/W
PACKAGE STYLE TO-220AB (COMMON EMITTER)
1 = BASE
2 = EMITTER
3 = COLLECTOR TAB = EMITTER
CHARACTERISTICS TC = 25 °C
SYMBOL
TEST CONDITIONS
BVCEO
IC = 10 mA
BVCBO
IC = 5.0 mA
BVEBO
IE = 1.0 mA
ICBO
VCB = 30 V
IEBO VEB = 4.0 V
hFE
VCE = 12 V
IC = 10 mA
PO
ηC
VCC = 12 V
PIN = 0.5 W
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
25
60
5.0
500
500
10 50 180
UNITS
V
V
V
µA
µA
---
f = 27 MHz
13
60
16
70
dB
%
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 (818) 982-1200 FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
REV. A
1/1
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/

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[ 2SC3133 データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
2SC313

Silicon NPN Transistor

New Jersey Semi-Conductor
New Jersey Semi-Conductor
2SC313

Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 3-Pin TO-126

New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor
2SC3130

Silicon NPN epitaxial planer type(For high-frequency amplification/oscillation/mixing)

Panasonic Semiconductor
Panasonic Semiconductor
2SC3130

Silicon NPN RF Transistor

Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor


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