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2SC3011のメーカーはKexinです、この部品の機能は「Silicon NPN Epitaxial」です。 |
部品番号 | 2SC3011 |
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部品説明 | Silicon NPN Epitaxial | ||
メーカ | Kexin | ||
ロゴ | |||
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SMD Type
TransistIoCrs
Silicon NPN Epitaxial
2SC3011
Features
High Gain :|S21e|2=12dB(TYP.)
Low Noise Figure: NF=2.3dB(Typ.) f=1GHz
High fT : fT=6.5GHz
SOT-23
2.9+0.1
-0.1
0.4+0.1
-0.1
3
12
0.95+0.1
-0.1
1.9+0.1
-0.1
Unit: mm
0.1+0.05
-0.01
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Emitter current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
IE
PC
Tj
Tstg
Rating
20
7
3
30
10
150
125
-55 to +125
Unit
V
V
V
mA
mA
mW
1.Base
2.Emitter
3.collector
Electrical Characteristics Ta = 25
Parameter
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
Collector-emitter breakdown voltage
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
Collector output capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Input Capacitance
Transition Frequency
Insertion Gain
Noise Figure
Symbol
Testconditons
ICBO VCB = 10 V, IE = 0
IEBO VEB = 1.0 V, IC = 0
V(BR)CEO IC = 0.5 mA, IB = 0
hFE VCE = 5 V, IC = 10 mA
VCE (sat)
IC = 10 mA, IB = 1mA
VBE (sat)
Cob
VCB = 5 V, IE = 0, f = 1 MHz
Cre
Cib VEB=0,IC=0,f=1MHZ
fT VCE=5V,IC=10mA
|S21e|2 VCE=5V,IC=10mA,f=1GHZ
NF VCE=5V,IC=5mA,f=1GHz
Marking
Marking
MA
Min Typ Max Unit
1.0 ìA
1.0 ìA
7V
30 120
0.1 V
0.87 V
0.7 0.9 pF
0.5 pF
0.8 pF
6.5 GHz
12 dB
2.3 dB
www.kexin.com.cn 1
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/
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PDF ダウンロード | [ 2SC3011 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
2SC3011 | Silicon NPN epitaxial planer Transistor | Toshiba Semiconductor |
2SC3011 | Silicon NPN Epitaxial | Kexin |
2SC3012 | PNP SILICON EPITAXIAL/NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR | ETC |
2SC3012 | SILICON POWER TRANSISTOR | SavantIC |