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IRF7821PBF の電気的特性と機能

IRF7821PBFのメーカーはInternational Rectifierです、この部品の機能は「Power MOSFET ( Transistor )」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 IRF7821PBF
部品説明 Power MOSFET ( Transistor )
メーカ International Rectifier
ロゴ International Rectifier ロゴ 




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IRF7821PBF Datasheet, IRF7821PBF PDF,ピン配置, 機能
Applications
l High Frequency Point-of-Load
Synchronous Buck Converter for
Applications in Networking &
Computing Systems.
l Lead-Free
Benefits
l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS
l Low Gate Charge
l Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
VDSS
30V
PD - 95213A
IRF7821PbF
HEXFET® Power MOSFET
RDS(on) max
Qg(typ.)
9.1mW@VGS= 10V 9.3nC
S1
S2
S3
G4
AA
8D
7D
6D
5D
Top View
SO-8
Absolute Maximum Ratings
VDS
VGS
ID @ TA = 25°C
ID @ TA = 70°C
IDM
PD @TA = 25°C
PD @TA = 70°C
Parameter
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
cPulsed Drain Current
fPower Dissipation
fPower Dissipation
TJ
TSTG
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Thermal Resistance
Parameter
gRθJL Junction-to-Drain Lead
fgRθJA Junction-to-Ambient
Notes  through … are on page 10
www.irf.com
Max.
30
± 20
13.6
11
100
2.5
1.6
0.02
-55 to + 155
Units
V
A
W
W/°C
°C
Typ.
–––
–––
Max.
20
50
Units
°C/W
1
05/23/07
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/

1 Page





IRF7821PBF pdf, ピン配列
IRF7821PbF
100
VGS
TOP
10V
4.5V
3.7V
3.5V
3.3V
3.0V
10 2.7V
BOTTOM 2.5V
1
0.1
0.1
2.5V
20µs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
1 10
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
100
100
VGS
TOP
10V
4.5V
3.7V
3.5V
3.3V
3.0V
2.7V
BOTTOM 2.5V
10
2.5V
1
0.1
20µs PULSE WIDTH
Tj = 150°C
1 10
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
100
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Output Characteristics
100.0
TJ = 150°C
10.0
TJ = 25°C
1.0
0.1
2.0
VDS = 15V
20µs PULSE WIDTH
3.0 4.0 5.0
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
6.0
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
2.0
ID = 13A
VGS = 10V
1.5
1.0
0.5
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
TJ , Junction Temperature (°C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/


3Pages


IRF7821PBF 電子部品, 半導体
IRF7821PbF
30
ID = 13A
25
20
15
TJ = 125°C
10
5 TJ = 25°C
0
2.0
4.0 6.0 8.0
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
10.0
Fig 12. On-Resistance Vs. Gate Voltage
15V
VDS
L
DRIVER
RG
2V0GVS
tp
D.U.T
IAS
0.01
+
-
VDD
A
Fig 13a. Unclamped Inductive Test Circuit
V(BR)DSS
tp
100
ID
TOP 4.5A
80 8.0A
BOTTOM 10A
60
40
20
0
25 50 75 100 125 150
Starting TJ, Junction Temperature (°C)
Fig 13c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
VDS
LD
VDD
VGS
Pulse Width < 1µs
Duty Factor < 0.1%
D.U.T
Fig 14a. Switching Time Test Circuit
VDS
90%
IAS
Fig 13b. Unclamped Inductive Waveforms
6
10%
VGS
td(on) tf
td(off) tr
Fig 14b. Switching Time Waveforms
www.irf.com
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/

6 Page



ページ 合計 : 10 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ IRF7821PBF データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
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Power MOSFET ( Transistor )

International Rectifier
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IRF7821PBF-1

Power MOSFET ( Transistor )

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