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1N5832のメーカーはNaina Semiconductorです、この部品の機能は「(1N5832 - 1N5834R) Schottky Power Diode」です。 |
部品番号 | 1N5832 |
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部品説明 | (1N5832 - 1N5834R) Schottky Power Diode | ||
メーカ | Naina Semiconductor | ||
ロゴ | |||
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Naina Semiconductor Ltd.
Features
• Fast Switching
• Low forward voltage drop
• High surge capability
• High efficiency, low power loss
• Normal and Reverse polarity
Schottky Power Diode, 40A
1N5832 thru
1N5834R
DO-203AB (DO-5)
Maximum Ratings (TJ = 25oC, unless otherwise noted)
Parameter
Test Conditions
Repetitive peak reverse voltage
RMS reverse voltage
DC blocking voltage
Continuous forward current
Surge non-repetitive forward
current, half-sine wave
TC ≤ 100oC
TC = 25oC
Forward voltage
Reverse current
IF = 40 A
TJ = 25oC
VR = 10V, TJ = 25oC
VR = 10V, TJ = 125oC
Symbol
VRRM
VRMS
VDC
IF
IFSM
http://www.DataSheet4U.net/
VF
IR
1N5832(R)
20
14
20
40
800
0.52
20
250
1N5833(R)
30
21
30
40
800
0.55
20
250
1N5834(R)
40
28
40
40
Units
V
V
V
A
800 A
0.58 V
20
mA
250
Thermal & Mechanical Specifications (TJ = 25oC, unless otherwise noted)
Parameters
Symbol 1N5832(R)
Maximum thermal resistance, junction to case
Operating junction temperature range
Storage temperature
Rth(JC)
TJ
Tstg
Mounting torque (non-lubricated threads)
F
Approximate allowable weight
W
1N5833(R)
1.5
-65 to 150
-65 to 175
4.0
17.0
1N5834(R)
Units
oC/W
oC
oC
Nm
g
1 D-95, Sector 63, Noida – 201301, India • Tel: 0120-4205450 • Fax: 0120-4273653
[email protected] • www.nainasemi.com
datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/
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PDF ダウンロード | [ 1N5832 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
1N5830 | 25 Amp Schottky Rectifier | Microsemi Corporation |
1N5830 | 25 Amp Schottky Barrier Rectifier 20 to 35 Volts | Micro Commercial Components |
1N5830 | (1N5829 - 1N5831R) Schottky Power Diode | Naina Semiconductor |
1N5830 | (1N5829 - 1N5831R) Silicon Power Schottky Diode | America Semiconductor |