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Número de pieza | 25P16 | |
Descripción | SPI | |
Fabricantes | ETC | |
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No Preview Available ! 主要特性:
闪存 25P16
16Mbit ,低电压,串行接口闪存;50MHz SPI 串行总线接口
■ 可储存 16Mbit 数据.
■ 编程一页只需 1.4ms(典型值).
■ 分段擦除(512K)
■ 片擦除(16Mbit)
■ 2.7 至 3.6 伏单电源供电.
■ 兼容 SPI 串行总线接口.
■ 50MHz 时钟频率(最大值).
■ 睡眠模式 1uA 待机电流.
■ 电子署名
■ 可重复擦写次数超过 10 万次.
■ 数字可保存超过 20 年.
性能描述:
■ 25P16 是一个 16Mbit(2M*8)的串行闪存器,带有先进的写保护机制,可被高速的 SPI 总线访问.
■ 利用页编程指令,闪存器可一次编入 1 到 256bytes 数据.
■ 闪存器分为 32 个段,每段包含 256 页,每页可存 256Bytes 数据.因整个闪存器也可能看成由 8192 页组成,即 2,097,152bytes.
■ 整片闪存器可一次被全部擦除用片擦除指令,或段擦除用段擦除指令.
25P16 罗辑符合
25P15 管脚排列
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管脚名称:
备注:DU 为空脚.
串行时钟
串行数据输入
串行数据输出
片选信号(低电平有效)
写保护(低电平有效)
锁定(低电平有效)
正电源
地
信号描述:
■ Serial Data Output(Q):这个用脚是用来输出串行数据.数据在时钟信号下降沿输出.
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1 page ■ 闪存器结构如下:
◇ 2,097,152 字节(每字节 8 比特)
◇ 32 段(每段 512K 比特,65536 字节)
◇ 8192 页(256 字节每页)
■ 每页能单独被编程(数据人 1 到 0).闪存器可段擦除或整片擦除不能页擦除.
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指令:
■ 所有的指令,.地址和数据移进和移出设备按高位在先.
■ 串行输入数据(D)在时钟信号的上升沿被取样在片选信号(S)为低的情况下,然后一字节的指令代码输入设备,按高位在先,
数据都是时钟信号的上升沿锁入寄存器,所有的指令如列表 4.
■ 每个指令启动顺序都是一个字节的指令代码,紧跟后面可能是地址字节或数据字节或都两者都无.
■ 在读数据(READ),读状态寄存器(RDSR),读验证码(RDID)或从掉电模式释放出来,和读电子签名指令(RES)的情况下,指令按
顺序移进后,数据紧跟其后移出来,片先信(S)号可被拉高在所有数据都移出后.
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5 Page (图 16)
段擦除指令(SE):
■ 在执行段除指令(SE)后相应区域上的数据全被重设置为 1(FFH).在执行段擦除指令之前也必须先执行写使能指令(WREN)
设置写锁位(WEL).紧跟在指令代码后是 3 字节的地址数据,在指令代码和地址数据进入内存的过程中,片选信号必须保持
低电平,在数据输入完后片选信号随即拉高.
■ 在段内任何地址都是有效的对于段擦除指令来说.指令时序如图 17:
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■ 执行段擦除指令过程中,可通过读取状态寄存器检查其(WIP)位的内容判别是否已执行完段擦除指令(SE).
■ 段擦除指令(SE)适应于没有执行块保护(由 BP2,BP1,BP0 设置)的条件下的区域执行.
片擦除指令(BE):
■ 片擦除指令(BE)可使全部单元数据恢复为 1(FFH),在执行片擦除指令这前同样须要先执行写使能指令(WREN)设置写锁位
(WEL).指令的时序如图(18):
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PDF Descargar | [ Datasheet 25P16.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
25P1 | Diode ( Rectifier ) | American Microsemiconductor |
25P10 | 1 Mbit Low Voltage Paged Flash Memory | STMicroelectronics |
25P10A | 1Mb 3V Serial Flash Embedded Memory | Micron |
25P10AV | M25P10AV | ST Microelectronics |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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