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PDF MJ3771 Data sheet ( 特性 )

部品番号 MJ3771
部品説明 Silicon NPN Power Transistor
メーカ Inchange Semiconductor
ロゴ Inchange Semiconductor ロゴ 

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MJ3771 Datasheet, MJ3771 PDF,ピン配置, 機能
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INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
MJ3771
DESCRIPTION
·Low Collector-Emitter Saturation Voltage-
Vce(sat)=1V(Max)@Ic=15A
·Low Leakage -
Icbo=1mA(max)@50V
·High Current-Gain-Bandwidth Product-
fT=2MHz(min)@Ic=1A
APPLICATIONS
·Designed for power amplifier and switching applications.
·For ultimate circuit performance based on the design
requirements.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE UNIT
VCBO Collector-Base Voltage
50 V
VCEO Collector-Base Voltage
50 V
VEBO Emitter-Base Voltage
5V
IC Collector Current-Continuous
30 A
IBB Base Current-Continuous
7.5 A
PC
Collector Power Dissipation@TC=25
200
W
TJ Junction Temperature
200
Tstg Storage Temperature Range
-65~200
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
MAX UNIT
Rth j-c
Thermal Resistance,Junction to Case
0.875
/W
isc Websitewww.iscsemi.cn
Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/

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