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IDH04SG60C の電気的特性と機能

IDH04SG60CのメーカーはInfineon Technologiesです、この部品の機能は「Schottky Diode」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 IDH04SG60C
部品説明 Schottky Diode
メーカ Infineon Technologies
ロゴ Infineon Technologies ロゴ 




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IDH04SG60C Datasheet, IDH04SG60C PDF,ピン配置, 機能
3rd Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode
Features
• Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide
• Switching behavior benchmark
• No reverse recovery / No forward recovery
• Temperature independent switching behavior
• High surge current capability
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
• Qualified according to JEDEC1) for target applications
• Breakdown voltage tested at 20mA2)
• Optimized for high temperature operation
• Lowest Figure of Merit QC/IF
Product Summary
VDC
QC
IF; TC< 130 °C
IDH04SG60C
600 V
4.5 nC
4A
thinQ! 3G Diode designed for fast switching applications like:
• SMPS e.g.; CCM PFC
• Motor Drives; Solar Applications; UPS
Type
IDH04SG60C
Package
PG-TO220-2
Marking
D04G60C
Pin 1
C
Pin 2
A
Maximum ratings
Parameter
Symbol Conditions
Continuous forward current
I F T C<130 °C
Surge non-repetitive forward current, I F,SM
sine halfwave
T C=25 °C, t p=10 ms
T C=150 °C, t p=10 ms
Non-repetitive peak forward current
i ²t value
I F,max
i 2dt
T C=25 °C, t p=10 µs
T C=25 °C, t p=10 ms
T C=150 °C, t p=10 ms
Repetitive peak reverse voltage
Diode dv/dt ruggedness
V RRM
dv/ dt
T j=25 °C
VR= 0….480 V
Power dissipation
P tot T C=25 °C
Operating and storage temperature
Soldering temperature,
wavesoldering only allowed at leads
Mounting torque
T j, T stg
T sold
1.6mm (0.063 in.)
from case for 10s
M3 and M3.5 screws
Value
4
18
13.5
120
1.8
0.93
600
50
43
-55 ... 175
260
60
Unit
A
A2s
V
V/ns
W
°C
Ncm
Rev. 2.4
page 1
2012-12-12

1 Page





IDH04SG60C pdf, ピン配列
1 Power dissipation
P tot=f(T C); parameter: RthJC(max)
IDH04SG60C
2 Diode forward current
I F=f(T C)4); T j≤175 °C; parameter: D = t p/T
45 30
40
0.1
25
35
30 20
25
15 0.3
20
0.5
15 10 0.7
1
10
5
5
0
25 50 75 100 125 150 175
TC [°C]
0
25
75 125
TC [°C]
175
3 Typ. forward characteristic
I F=f(VF); t p=400 µs; parameter:T j
4 Typ. forward characteristic in surge current
mode
I F=f(VF); t p=400 µs; parameter: T j
5 15
4
25ºC150ºC
-55ºC
3 100ºC
175ºC
2
-55ºC
12 25ºC
9
100ºC
6 150ºC
175ºC
13
0
012345
VF[V]
0
0
Rev. 2.4
page 3
246
VF[V]
8
2012-12-12


3Pages


IDH04SG60C 電子部品, 半導体
PG-TO220-2: Outline
IDH04SG60C
Dimensions in mm/inches
Rev. 2.4
page 6
2012-12-12

6 Page



ページ 合計 : 7 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ IDH04SG60C データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
IDH04SG60C

Schottky Diode

Infineon Technologies
Infineon Technologies


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