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IDD04S60C の電気的特性と機能

IDD04S60CのメーカーはInfineon Technologiesです、この部品の機能は「Schottky Diode」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 IDD04S60C
部品説明 Schottky Diode
メーカ Infineon Technologies
ロゴ Infineon Technologies ロゴ 




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IDD04S60C Datasheet, IDD04S60C PDF,ピン配置, 機能
IDD04S60C
2ndGeneration thinQ!TM SiC Schottky Diode
Features
• Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide
• Switching behavior benchmark
• No reverse recovery/ No forward recovery
• No temperature influence on the switching behavior
• High surge current capability
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
• Qualified according to JEDEC1) for target applications
www.DataSheet4U.net
• Breakdown voltage tested at 5mA2)
Product Summary
V DC
Qc
IF
600 V
8 nC
4A
PG-TO252
3
thinQ! 2G Diode specially designed for fast switching applications like:
• CCM PFC
• Motor Drives
1
2
Type
IDD04S60C
Package
PG-TO252
Marking
D04S60C
Pin 1
n.c.
Pin 2
A
Pin 3
C
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Continuous forward current
RMS forward current
Symbol Conditions
IF
I F,RMS
T C<130 °C
f =50 Hz
Surge non-repetitive forward current,
sine halfwave
I F,SM
T C=25 °C, t p=10 ms
Value
4
5.6
32
Repetitive peak forward current
I F,RM
T j=150 °C,
T C=100 °C, D =0.1
Non-repetitive peak forward current
i ²t value
Repetitive peak reverse voltage
Diode dv/dt ruggedness
Power dissipation
Operating and storage temperature
I F,max T C=25 °C, t p=10 µs
i 2dt
T C=25 °C, t p=10 ms
V RRM
dv/ dt V R = 0….480V
P tot T C=25 °C
T j, T stg
18
132
5.1
600
50
37
-55 ... 175
Unit
A
A2s
V
V/ns
W
°C
Rev. 2.0
page 1
2006-04-03

1 Page





IDD04S60C pdf, ピン配列
1 Power dissipation
P tot=f(T C)
parameter: RthJC(max)
40
2 Diode forward current
I F=f(T C); T j175 °C
parameter: R thJC(max); V F(max)
9
IDD04S60C
35 8
7
30
6
25
5
20
4
15
3
10 2
51
0
25 50 75 100 125 150 175 200
T C [°C]
0
25 50 75 100 125 150 175 200
T C [°C]
3 Typ. forward characteristic
I F=f(V F); t p=400 µs
parameter: T j
8
-55ºC
150ºC
7 25ºC
100ºC
6
4 Typ. forward characteristic in surge current
mode
I F=f(V F); t p=400 µs; parameter: Tj
40
175ºC
150ºC
30
5
4 20 -55ºC
3 175ºC
25ºC
2 10
100ºC
1
00
01234
0 2 4 6 8 10
VF[V]
VF[V]
Rev. 2.0
page 3
2006-04-03


3Pages


IDD04S60C 電子部品, 半導体
Package Outline:PG-TO252-3-1/TO252-3-11/TO252-3-21
IDD04S60C
Dimensions in mm/inches:
Rev. 2.0
page 6
2006-04-03

6 Page



ページ 合計 : 7 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ IDD04S60C データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
IDD04S60C

Schottky Diode

Infineon Technologies
Infineon Technologies


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