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IDB18E120 の電気的特性と機能

IDB18E120のメーカーはInfineon Technologiesです、この部品の機能は「Fast Switching Emitter Controlled Diode」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 IDB18E120
部品説明 Fast Switching Emitter Controlled Diode
メーカ Infineon Technologies
ロゴ Infineon Technologies ロゴ 




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IDB18E120 Datasheet, IDB18E120 PDF,ピン配置, 機能
Fast Switching Emitter Controlled Diode
Feature
1200 V Emitter Controlled technology
Fast recovery
Soft switching
Low reverse recovery charge
Low forward voltage
Easy paralleling
* RoHS compliant
IDB18E120
Product Summary
VRRM
1200
IF
VF
Tjmax
18
1.65
150
V
A
V
°C
PG-TO263-3-2
2
1
3
Type
IDB18E120
Package
Ordering Code Marking Pin 1 PIN 2 PIN 3
PG-TO263-3-2
-
D18E120 NC
C
A
Maximum Ratings, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Repetitive peak reverse voltage
Continous forward current
TC=25°C
TC=90°C
VRRM
IF
Surge non repetitive forward current
IFSM
TC=25°C, tp=10 ms, sine halfwave
Maximum repetitive forward current
IFRM
TC=25°C, tp limited by Tjmax, D=0.5
Power dissipation
TC=25°C
TC=90°C
Ptot
Operating and storage temperature
Soldering temperature
reflow soldering, MSL1
Tj , Tstg
TS
Value
1200
31
19.8
78
47
113
54
-55...+150
260
Unit
V
A
W
°C
°C
Rev.2.3
Page 1
2013-07-02

1 Page





IDB18E120 pdf, ピン配列
IDB18E120
Electrical Characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
min. typ. max.
Dynamic Characteristics
Reverse recovery time
VR=800V, IF=18A, diF/dt=800A/µs, Tj=25°C
VR=800V, IF=18A, diF/dt=800A/µs, Tj=125°C
VR=800V, IF=18A, diF/dt=800A/µs, Tj=150°C
trr
- 195 -
- 280 -
- 300 -
Peak reverse current
VR=800V, IF = 18 A, diF/dt=800A/µs, Tj=25°C
VR=800V, IF =18A, diF/dt=800A/µs, Tj=125°C
VR=800V, IF =18A, diF/dt=800A/µs, Tj=150°C
Irrm
- 20.2 -
- 24.4 -
- 25.3 -
Reverse recovery charge
VR=800V, IF=18A, diF/dt=800A/µs, Tj=25°C
VR=800V, IF =18A, diF/dt=800A/µs, Tj=125°C
VR=800V, IF =18A, diF/dt=800A/µs, Tj=150°C
Qrr
- 1880 -
- 3200 -
- 3540 -
Reverse recovery softness factor
S
VR=800V, IF=18A, diF/dt=800A/µs, Tj=25°C
VR=800V, IF=18A, diF/dt=800A/µs, Tj=125°C
VR=800V, IF=18A, diF/dt=800A/µs, Tj=150°C
- 5.5 -
- 6.6 -
- 6.7 -
Unit
ns
A
nC
Rev.2.3
Page 3
2013-07-02


3Pages


IDB18E120 電子部品, 半導体
9 Max. transient thermal impedance
ZthJC = f (tp)
parameter : D = tp/T
10 1 IDP18E120
K/W
10 0
10 -1
10 -2
10 -3
10 -4
single pulse
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
10
-5
10
-7
10 -6
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
s 10 0
tp
IDB18E120
Rev.2.3
Page 6
2013-07-02

6 Page



ページ 合計 : 8 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ IDB18E120 データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
IDB18E120

Fast Switching Emitter Controlled Diode

Infineon Technologies
Infineon Technologies


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