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IDB09E120 の電気的特性と機能

IDB09E120のメーカーはInfineon Technologiesです、この部品の機能は「Fast Switching EmCon Diode」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 IDB09E120
部品説明 Fast Switching EmCon Diode
メーカ Infineon Technologies
ロゴ Infineon Technologies ロゴ 




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IDB09E120 Datasheet, IDB09E120 PDF,ピン配置, 機能
Fast Switching EmCon Diode
Feature
1200 V EmCon technology
Fast recovery
Soft switching
Low reverse recovery charge
Low forward voltage
Easy paralleling
www.DataSheet4U.net
IDP09E120
IDB09E120
Product Summary
VRRM
IF
VF
Tjmax
1200
9
1.65
150
V
A
V
°C
P-TO220-3.SMD
P-TO220-2-2.
Type
IDP09E120
IDB09E120
Package
Ordering Code
P-TO220-2-2. Q67040-S4479
P-TO220-3.SMD Q67040-S4384
Marking Pin 1
D09E120 C
D09E120 NC
PIN 2
A
C
PIN 3
-
A
Maximum Ratings, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Repetitive peak reverse voltage
Continous forward current
TC=25°C
TC=90°C
VRRM
IF
Surge non repetitive forward current
TC=25°C, tp=10 ms, sine halfwave
Maximum repetitive forward current
IFSM
IFRM
TC=25°C, tp limited by Tjmax, D=0.5
Power dissipation
Ptot
TC=25°C
TC=90°C
Operating and storage temperature
Soldering temperature
1.6mm(0.063 in.) from case for 10s
Tj , Tstg
TS
Value
1200
23
14.4
50
36
69
33
-55...+150
260
Unit
V
A
W
°C
°C
Rev.2
Page 1
2003-07-31

1 Page





IDB09E120 pdf, ピン配列
IDP09E120
IDB09E120
Electrical Characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
min. typ. max.
Dynamic Characteristics
Reverse recovery time
VR=800V, IF=9A, diF/dt=750A/µs, Tj=25°C
VR=800V, IF=9A, diF/dt=750A/µs, Tj=125°C
VR=800V, IF=9A, diF/dt=750A/µs, Tj=150°C
trr
- 140 -
- 200 -
- 210 -
Peak reverse current
VR=800V, IF = 9 A, diF/dt=750A/µs, Tj=25°C
VR=800V, IF =9A, diF/dt=750A/µs, Tj=125°C
VR=800V, IF =9A, diF/dt=750A/µs, Tj=150°C
Irrm
- 13.3 -
- 16.1 -
- 16.5 -
Reverse recovery charge
VR=800V, IF=9A, diF/dt=750A/µs, Tj=25°C
VR=800V, IF =9A, diF/dt=750A/µs, Tj=125°C
VR=800V, IF =9A, diF/dt=750A/µs, Tj=150°C
Qrr
- 950 -
- 1470 -
- 1600 -
Reverse recovery softness factor
S
VR=800V, IF=9A, diF/dt=750A/µs, Tj=25°C
VR=800V, IF=9A, diF/dt=750A/µs, Tj=125°C
VR=800V, IF=9A, diF/dt=750A/µs, Tj=150°C
- 5.4 -
- 6.5 -
- 6.6 -
Unit
ns
A
nC
Rev.2
Page 3
2003-07-31


3Pages


IDB09E120 電子部品, 半導体
9 Max. transient thermal impedance
ZthJC = f (tp)
parameter : D = tp/T
10 1 IDP09E120
K/W
10 0
10 -1
10 -2
10 -3
single pulse
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
10
-4
10
-7
10 -6
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
s 10 0
tp
IDP09E120
IDB09E120
Rev.2
Page 6
2003-07-31

6 Page



ページ 合計 : 9 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ IDB09E120 データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
IDB09E120

Fast Switching EmCon Diode

Infineon Technologies
Infineon Technologies


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