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IXTA1R6N100D2 の電気的特性と機能

IXTA1R6N100D2のメーカーはIXYS Corporationです、この部品の機能は「Depletion Mode MOSFET」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 IXTA1R6N100D2
部品説明 Depletion Mode MOSFET
メーカ IXYS Corporation
ロゴ IXYS Corporation ロゴ 




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IXTA1R6N100D2 Datasheet, IXTA1R6N100D2 PDF,ピン配置, 機能
Depletion Mode
MOSFET
N-Channel
Preliminary Technical Information
IXTY1R6N100D2
IXTA1R6N100D2
IXTP1R6N100D2
VDSX
ID(on)
=
>
RDS(on)
1000V
1.6A
10Ω
TO-252 (IXTY)
Symbol
VDSX
VGSX
VGSM
PD
TJ
TJM
Tstg
TL
TSOLD
Md
Weight
Test Conditions
TJ = 25°C to 150°C
Continuous
Transient
TC = 25°C
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10s
Mounting Torque (TO-220)
TO-252
TO-263
TO-220
Maximum Ratings
1000
V
±20 V
±30 V
100 W
- 55 ... +150
150
- 55 ... +150
°C
°C
°C
300 °C
260 °C
1.13 / 10
Nm/lb.in.
0.35 g
2.50 g
3.00 g
G
S
D (Tab)
TO-263 AA (IXTA)
G
S
D (Tab)
TO-220AB (IXTP)
GD S
D (Tab)
G = Gate
S = Source
D = Drain
Tab = Drain
Symbol
Test Conditions
(TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified)
BVDSX
VGS = - 5V, ID = 250μA
VGS(off)
VDS = 25V, ID = 100μA
IGSX VGS = ±20V, VDS = 0V
IDSX(off)
VDS = VDSX, VGS= - 5V
RDS(on)
ID(on)
VGS = 0V, ID = 0.8A, Note 1
VGS = 0V, VDS = 50V, Note 1
TJ = 125°C
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
1000
V
- 2.5
- 4.5 V
±100 nA
2 μA
25 μA
10 Ω
1.6 A
Features
• Normally ON Mode
• International Standard Packages
• Molding Epoxies Meet UL 94 V-0
Flammability Classification
Advantages
• Easy to Mount
• Space Savings
• High Power Density
Applications
• Audio Amplifiers
• Start-Up Circuits
• Protection Circuits
Ramp Generators
• Current Regulators
• Active Loads
© 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
www.DataSheet.in
DS100185A(12/09)

1 Page





IXTA1R6N100D2 pdf, ピン配列
IXTY1R6N100D2 IXTA1R6N100D2
IXTP1R6N100D2
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
Fig. 1. Output Characteristics @ TJ = 25ºC
VGS = 5V
1V
0V
-1V
- 2V
- 3V
2 4 6 8 10 12 14
VDS - Volts
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ TJ = 25ºC
4.0
VGS = 5V
3.5 2V
1V
3.0
0V
2.5
2.0
-1V
1.5
1.0
0.5
0.0
0
- 2V
- 3V
10 20 30 40 50 60 70 80
VDS - Volts
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
Fig. 3. Output Characteristics @ TJ = 125ºC
VGS = 5V
1V
0V
-1V
- 2V
- 3V
4 8 12 16 20 24 28 32
VDS - Volts
1E-01
1E-02
1E-03
1E-04
1E-05
1E-06
1E-07
1E-08
Fig. 4. Drain Current @ TJ = 25ºC
VGS = - 3.25V
- 3.50V
- 3.75V
- 4.00V
- 4.25V
- 4.50V
- 4.75V
1E-09
0
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200
VDS - Volts
1.E-01
1.E-02
1.E-03
1.E-04
1.E-05
1.E-06
Fig. 5. Drain Current @ TJ = 100ºC
VGS = - 3.50V
- 3.75V
- 4.00V
- 4.25V
- 4.50V
- 4.75V
1.E-07
0
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200
VDS - Volts
1.E+12
1.E+11
1.E+10
1.E+09
1.E+08
1.E+07
1.E+06
1.E+05
1.E+04
-4.8
Fig. 6. Dynamic Resistance vs. Gate Voltage
VDS = 700V - 100V
TJ = 25ºC
TJ = 100ºC
-4.6 -4.4 -4.2 -4.0 -3.8 -3.6 -3.4 -3.2
VGS - Volts
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Depletion Mode MOSFET

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