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4AM16 の電気的特性と機能

4AM16のメーカーはHitachi Semiconductorです、この部品の機能は「Silicon N-Channel/P-Channel Power MOS FET Array」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 4AM16
部品説明 Silicon N-Channel/P-Channel Power MOS FET Array
メーカ Hitachi Semiconductor
ロゴ Hitachi Semiconductor ロゴ 




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4AM16 Datasheet, 4AM16 PDF,ピン配置, 機能
4AM16
Silicon N-Channel/P-Channel Power MOS FET Array
Application
High speed power switching
Features
Low on-resistance
N Channel: RDS(on) 0.17 , VGS = 10 V, ID = 4 A
P Channel: RDS(on) 0.2 , VGS = –10 V, ID = –4 A
High speed switching
High density mounting
Suitable for H-brided motor driver
Outline
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4AM16 pdf, ピン配列
4AM16
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
N channel
Item
Symbol Min Typ
Drain to source breakdown
voltage
V(BR)DSS
60
Gate to source breakdown
voltage
V(BR)GSS
±20
Gate to source leak current IGSS
——
Zero gate voltage drain current IDSS
——
Gate to source cutoff voltage VGS(off) 1.0 —
Static drain to source on state RDS(on)
0.13
resistance
— 0.18
Forward transfer admittance |yfs|
3.5 5.5
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Body to drain diode forward
voltage
Body to drain diode reverse
recovery time
Note: 1. Pulse Test
Ciss
Coss
Crss
t d(on)
tr
t d(off)
tf
VDF
t rr
400
220
60
5
45
150
85
1.2
120
Max Unit
—V
—V
±10
–250
2.0
0.17
0.24
µA
µA
V
S
— pF
— pF
— pF
— ns
— ns
— ns
— ns
—V
— ns
Test conditions
ID = 10 mA, VGS = 0
IG = ±100 µA, VDS = 0
VGS = ±16 V, VDS = 0
VDS = 50 V, VGS = 0
ID = 1 mA, VDS = 10 V
ID = 4 A, VGS = 10 V*1
ID = 4 A, VGS = 4 V*1
ID = 4 A
VDS = 10 V*1
VDS = 10 V
VGS = 0
f = 1 MHz
ID = 4 A
VGS = 10 V
RL = 7.5
IF = 8 A, VGS = 0
IF = 8 A, VGS = 0,
diF/dt = 50 A/µs
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4AM16 電子部品, 半導体
4AM16
6
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PDF
ダウンロード
[ 4AM16 データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
4AM11

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Silicon N-Channel/P-Channel Power MOS FET Array

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