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IXTY4N60P の電気的特性と機能

IXTY4N60PのメーカーはIXYSです、この部品の機能は「PolarHV Power MOSFET」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 IXTY4N60P
部品説明 PolarHV Power MOSFET
メーカ IXYS
ロゴ IXYS ロゴ 




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IXTY4N60P Datasheet, IXTY4N60P PDF,ピン配置, 機能
PolarHVTM
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
IXTA4N60P
IXTP4N60P
IXTU4N60P
IXTY4N60P
V=
DSS
ID25 =
RDS(on)
600
4
2.0
V
A
Ω
TO-263 (IXTA)
Symbol
VDSS
VDGR
VGSS
VGSM
I
D25
IDM
IAR
E
AR
EAS
dv/dt
PD
TJ
TJM
Tstg
T
L
TSOLD
Md
Weight
Test Conditions
TJ = 25°C to 150°C
TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MΩ
Continuous
Transient
T
C
= 25°C
TC = 25°C, pulse width limited by TJM
TC = 25°C
T
C
=
25°C
TC = 25°C
IS IDM, di/dt 100 A/μs, VDD VDSS,
TJ 150°C, RG = 30 Ω
TC = 25°C
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 s
Mounting torque (TO-220)
TO-220
TO-263
Maximum Ratings
600 V
600 V
±30 V
±40 V
G
S
TO-220 (IXTP)
4A
10 A
4A
G DS
15 mJ TO-251 (IXTU)
150 mJ
10 V/ns
89
-55 ... +150
150
-55 ... +150
W
°C
°C
°C
300 °C
260 °C
1.13/10 Nm/lb.in.
4g
3g
G
D
S
TO-252 (IXTY)
G
S
(TAB)
(TAB)
(TAB)
(TAB)
Symbol
Test Conditions
(TJ = 25°C unless otherwise specified)
BV
DSS
V
GS
=
0
V,
I
D
=
250
μA
VGS(th)
VDS = VGS, ID = 100μA
IGSS VGS = ±30 V, VDS = 0 V
IDSS
VDS = VDSS
V =0V
GS
T
J
=
125°C
RDS(on)
VGS = 10 V, ID = 0.5 ID25
Pulse test, t 300 μs, duty cycle d 2 %
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
600 V
3.0 5.5 V
±100 nA
1 μA
50 μA
2.0 Ω
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
Features
z International standard packages
z Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
z Low package inductance
- easy to drive and to protect
Advantages
z Easy to mount
z Space savings
z High power density
© 2006 IXYS All rights reserved
DS99423E(04/06)

1 Page





IXTY4N60P pdf, ピン配列
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25ºC
VGS = 10V
8V
7V
6V
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
VD S - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125ºC
4
VGS = 10V
3.5 8V
3 7V
2.5
2 6V
1.5
1
0.5
5V
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
VD S - Volts
Fig. 5. RDS(on) Norm alize d to
0.5 ID25 Value vs . ID
3
2.8 VGS = 10V
2.6
TJ = 125º C
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2 TJ = 25º C
1
0.8
0123 4567
I D - Amperes
8
© 2006 IXYS All rights reserved
IXTA4N60P IXTP4N60P
IXTU4N60P IXTY4N60P
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25ºC
8
VGS = 10V
7 8V
6
5
7V
4
3
2
1 6V
0
0 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30
VD S - Volts
Fig. 4. RDS(on) Norm alize d to 0.5 ID25
Value vs. Junction Tem perature
3.1
2.8 VGS = 10V
2.5
2.2
1.9
ID = 4A
1.6
1.3 ID = 2A
1
0.7
0.4
-50
-25
0 25 50 75 100 125 150
TJ - Degrees Centigrade
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
-50
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Tem perature
-25 0 25 50 75 100 125 150
TC - Degrees Centigrade


3Pages





ページ 合計 : 5 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ IXTY4N60P データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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IXTY4N60P

PolarHV Power MOSFET

IXYS
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