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IXFV30N60P の電気的特性と機能

IXFV30N60PのメーカーはIXYSです、この部品の機能は「PolarHV HiPerFET Power MOSFET」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 IXFV30N60P
部品説明 PolarHV HiPerFET Power MOSFET
メーカ IXYS
ロゴ IXYS ロゴ 




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IXFV30N60P Datasheet, IXFV30N60P PDF,ピン配置, 機能
Advance Technical Information
PolarHVTM HiPerFET
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Fast Recovery Diode
Avalanche Rated
IXFH 30N60P
IXFT 30N60P
IXFV 30N60P
IXFV 30N60PS
V = 600 VDSS
www.DataSheet4U.com
ID25 = 30 A
RDS(on) 240 m
trr 250 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
VDSS
VDGR
VGSS
VGSM
ID25
IDM
IAR
EAR
EAS
dv/dt
PD
TJ
TJM
Tstg
TL
Md
Weight
TJ = 25°C to 150°C
TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 M
Continuous
Transient
TC = 25°C
TC = 25°C, pulse width limited by TJM
TC = 25°C
TC = 25°C
TC = 25°C
IS IDM, di/dt 100 A/µs, VDD VDSS,
TJ 150°C, RG = 4
TC = 25°C
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body
Mounting torque (TO-247)
TO-247
TO-268
PLUS220
600 V
600 V
±30 V
±40 V
30 A
80 A
30 A
50 mJ
1.5 J
10 V/ns
500
-55 ... +150
150
-55 ... +150
W
°C
°C
°C
300 °C
260 °C
1.13/10 Nm/lb.in.
6g
5g
4g
Symbol
Test Conditions
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)
VDSS
VGS = 0 V, ID = 250 µA
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
600 V
VGS(th)
VDS = VGS, ID = 4 mA
2.5 5.0 V
IGSS VGS = ±30 V, VDS = 0
±100 nA
IDSS
VDS = VDSS
VGS = 0 V
TJ = 125°C
25 µA
250 µA
RDS(on)
VGS = 10 V, ID = 0.5 ID25
Pulse test, t 300 µs, duty cycle d 2 %
240 m
PLUS220 (IXFV)
G
DS
D (TAB)
PLUS220 (IXFV...S)
G
S
TO-247 (IXFH)
D (TAB)
G
DS
TO-268 (IXFT)
D (TAB)
G
S
D (TAB)
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
Features
z Fast Recovery diode
z Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
z International standard packages
z Low package inductance
- easy to drive and to protect
© 2005 IXYS All rights reserved
DS99316(06/05)

1 Page





IXFV30N60P pdf, ピン配列
30
27
24
21
18
15
12
9
6
3
0
0
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125ºC
VGS = 10V
7V
6V
5.5V
5V
4.5V
2 4 6 8 10 12 14 16 18
VD S - Volts
Fig. 5. RDS(on) Norm alize d to
0.5 ID25 Value vs. ID
3
2.8
VGS = 10V
2.6
TJ = 125C
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2 TJ = 25C
1
0.8
0
5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60
I D - Amperes
35
30
25
20
15
10
5
0
3.5
Fig. 7. Input Adm ittance
TJ = 125C
25C
-40C
4 4.5 5 5.5 6 6.5
VG S - Volts
7
© 2005 IXYS All rights reserved
IXFH 30N60P IXFV 30N60P
IXFV 30N60PS IXFT 30N60P
www.DataSheet4U.com
Fig. 4. RDS(on) Norm alize d to 0.5 ID25
Value vs. Junction Tem perature
3. 4
3.1 VGS = 10V
2. 8
2. 5
2. 2
1.9 ID = 30A
1. 6
1.3 ID = 15A
1
0. 7
0. 4
-50
-25
0 25 50 75 100 125 150
TJ - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Tem perature
35
30
25
20
15
10
5
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
TC - Degrees Centigrade
Fig. 8. Transconductance
50
45
40
35 TJ = -40C
25C
30 125C
25
20
15
10
5
0
0 5 10 15 20 25 30 35 40
I D - Amperes


3Pages





ページ 合計 : 5 ページ
 
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[ IXFV30N60P データシート.PDF ]


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