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IXFL38N100Q2 の電気的特性と機能

IXFL38N100Q2のメーカーはIXYSです、この部品の機能は「HiPerFET Power MOSFET」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 IXFL38N100Q2
部品説明 HiPerFET Power MOSFET
メーカ IXYS
ロゴ IXYS ロゴ 




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IXFL38N100Q2 Datasheet, IXFL38N100Q2 PDF,ピン配置, 機能
HiPerFETTM
Power MOSFETs
IXFL 38N100Q2
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic RG
High dV/dt, Low trr
IXFL 38N100Q2
VDSS
= 1000 Vwww.DataSheet4U.com
ID25 = 22 A
RDS(on) = 0.28 Ω
t
rr
300 ns
Symbol
VVDDGSSR
VVGGSSM
IIDDM25
IAR
EAR
EAS
dv/dt
PD
TTJJM
Tstg
TL
VISOL
FC
Weight
Test Conditions
Maximum Ratings
TJ = 25°C to 150°C
TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MΩ
Continuous
Transient
1000
1000
± 30
± 40
V
V
V
V
TC = 25°C
TC = 25°C, pulse width limited by TJM
TC = 25°C
22
152
38
TC = 25°C
TC = 25°C
60
5.0
IS IDM, di/dt 100 A/μs, VDD VDSS, VGS = 0 V
TJ 150°C, RG = 2 Ω
20
TC = 25°C
380
-55 ... +150
150
-55 ... +150
A
A
A
mJ
J
V/ns
W
°C
°C
°C
1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s
300 °C
50/60 Hz, RMS
IISOL 1 mA
Mounting force
t = 1 min
t=1s
2500
3000
V~
V~
9-27/40-120 lbs / N
8g
Symbol
Test Conditions
VDSS
VGS(th)
IGSS
IDSS
RDS(on)
VGS = 0 V, ID = 1mA
VDS = VGS, ID = 8mA
VGS = ± 30 V, VDS = 0
VDS = VDSS
VGS = 0 V
VGS = 10 V, ID = IT, Note 1
Characteristic Values
(TJ
=
25°C
unless
min.
otherwise specified)
typ. max
1000
V
2.5 5.0 V
± 200 nA
TJ = 25°C
TJ = 125°C
100 μA
5 μA
0.28 Ω
© 2005 IXYS All rights reserved
ISOPLUS264TM
G
C
E
Isolated Back Surface
Features
Electrically isolated mounting tab
Double metal process for low gate
resistance
Unclamped Inductive Switching
(UIS) rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Fast intrinsic diode
Applications
DC-DC converters
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
DC choppers
Pulse generation
Laser drivers
Advantages
2500 V~ Electrical isolation
ISOPLUS 264TM package for clip or
spring mounting
Space savings
High power density
DS99512(11/05)

1 Page





IXFL38N100Q2 pdf, ピン配列
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 Deg. C
VGS = 10V
6V
5V
2 4 6 8 10 12
VDS - Volts
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 Deg. C
VGS = 10V
6V
5V
4 8 12 16 20 24
VDS - Volts
Fig. 5. RDS(on) Normalized to ID = 19A Value
vs. Drain Current
2.6
2.4 VGS = 10V
2.2 TJ = 125º C
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0
TJ = 25º C
10 20 30 40 50 60 70 80
I D - Amperes
© 2005 IXYS All rights reserved
IXFL 38N100Q2
Fig. 2. Extended Output Charwacwtewr.iDstaictasSheet4U.com
@ 25 deg. C
80
70
VGS = 10V
7V
60
50 6V
40
30
20
10 5V
0
0 3 6 9 12 15 18 21 24
VDS - Volts
Fig. 4. RDS(on) Normalized to ID = 19A Value vs.
Junction Temperature
2.8
2.5 VGS = 10V
2.2
1.9
1.6 I D= 38A
1.3 I D= 19A
1
0.7
0.4
-50 -25
0 25 50 75 100 125 150
TJ - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs.
Case T em perature
40
35
30
25
20
15
10
5
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
TC - Degrees Centigrade


3Pages





ページ 合計 : 4 ページ
 
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[ IXFL38N100Q2 データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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