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3MBI150U-120 の電気的特性と機能
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3MBI150U-120のメーカーはFuji Electricです、この部品の機能は「1200V / 150A 3 in one-package」です。 このページでは3MBI150U-120の詳細な仕様と技術情報(パラメータ、電気的特性、ピン配置など)を見つけることができます. |
製品の詳細 ( Datasheet PDF )
| 部品番号 | 3MBI150U-120 |
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| 部品説明 | 1200V / 150A 3 in one-package | ||
| メーカ | Fuji Electric | ||
| ロゴ |  |
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このページの下部にプレビューと3MBI150U-120ダウンロード（pdfファイル）リンクがあります。 Total 5 pages
3MBI150U-120
IGBT Module U-Series 1200V / 150A 3 in one-package
Features
· High speed switching
· Voltage drive
· Low inductance module structure
Applications
· Inverter for Motor drive
· AC and DC Servo drive amplifier
· Uninterruptible power supply
· Industrial machines, such as Welding machines
Maximum ratings and characteristics
Absolute maximum ratings (at Tc=25°C unless otherwise specified)
Item
Collector-Emitter voltage
Gate-Emitter voltaga
Collector current
www.DataSheet4U.com
Symbol
VCES
VGES
IC
ICp
Conditions
Continuous Tc=25°C
Tc=80°C
1ms Tc=25°C
Tc=80°C
Collector Power Dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Isolation voltage between terminal and copper base *1
Screw Torque
Mounting *2
-IC
-IC pulse
PC
Tj
Tstg
Viso
1 device
AC:1min.
*1 : All terminals should be connected together when isolation test will be done.
*2 : Recommendable value : 2.5 to 3.5 N·m(M5)
Rating
1200
±20
200
150
400
300
150
300
735
+150
-40 to +125
2500
3.5
Electrical characteristics (at Tj=25°C unless otherwise specified)
Item
Symbols Conditions
Zero gate voltage collector current
Gate-Emitter leakage current
Gate-Emitter threshold voltage
Collector-Emitter saturation voltage
Input capacitance
Turn-on time
Turn-off time
Forward on voltage
Reverse recovery time
Lead resistance, terminal-chip*3
ICES
IGES
VGE(th)
VCE(sat)
(terminal)
VCE(sat)
(chip)
Cies
ton
tr
tr(i)
toff
tf
VF
(terminal)
VF
(chip)
trr
R lead
VGE=0V, VCE=1200V
VCE=0V, VGE=±20V
VCE=20V, IC=150mA
VGE=15V, IC=150A Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
VCE=10V, VGE=0V, f=1MHz
VCC=600V
IC=150A
VGE=±15V
RG=2.2 Ω
VGE=0V
IF=150A
IF=150A
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
*3:Biggest internal terminal resistance among arm.
Characteristics
Min.
Typ.
––
––
4.5 6.5
– 2.15
– 2.40
– 1.75
– 2.00
– 17
– 0.36
– 0.21
– 0.03
– 0.37
– 0.07
– 2.00
– 2.10
– 1.60
– 1.70
––
– 2.4
Max.
1.0
200
8.5
2.50
–
2.10
–
–
1.20
0.60
–
1.00
0.30
2.30
–
1.90
–
0.35
–
Unit
V
V
A
W
°C
VAC
N·m
Unit
mA
nA
V
V
nF
µs
V
µs
mΩ
Thermal resistance characteristics
Items
Symbols Conditions
Characteristics
Thermal resistance
Contact Thermal resistance
Rth(j-c)
Rth(j-c)
Rth(c-f)*4
IGBT
FWD
With thermal compound
Min.
–
–
–
Typ.
–
–
0.05
*4 : This is the value which is defined mounting on the additional cooling fin with thermal compound.
Max.
0.17
0.28
–
Unit
°C/W
°C/W
°C/W
1 Page  
3MBI150U-120
Switching time vs. Collector current (typ.)
Vcc=600V, VGE=±15V, Rg=2.2Ω, Tj= 25°C
10000
IGBT Module
Switching time vs. Collector current (typ.)
Vcc=600V, VGE=±15V, Rg=2.2Ω, Tj=125°C
10000
1000
100
1000
ton
toff
tr
100
tf
toff
ton
tr
tf
10
www.DataSheet4U.co0 m 50 100 150 200 250 300
Collector current : Ic [ A ]
10000
Switching time vs. Gate resistance (typ.)
Vcc=600V, Ic=150A, VGE=±15V, Tj= 25°C
1000
ton
toff
tr
100
tf
10
0.1
1.0 10.0 100.0
Gate resistance : Rg [ Ω ]
1000.0
Switching loss vs. Gate resistance (typ.)
Vcc=600V, Ic=150A, VGE=±15V, Tj= 125°C
125
Eon
100
75
50
25
0
0.1
Eoff
Err
1.0 10.0 100.0
Gate resistance : Rg [ Ω ]
1000.0
10
0
50 100 150 200 250 300
Collector current : Ic [ A ]
Switching loss vs. Collector current (typ.)
Vcc=600V, VGE=±15V, Rg=2.2Ω
30
Eoff(125°C)
25 Eon(125°C)
20
Eoff(25°C)
Eon(25°C)
15
10 Err(125°C)
5 Err(25°C)
0
0 100 200
Collector current : Ic [ A ]
300
Reverse bias safe operating area (max.)
+VGE=15V,-VGE <= 15V, RG >= 2.2Ω ,Tj <= 125°C
400
300
200
100
0
0 400 800 1200
Collector - Emitter voltage : VCE [ V ]
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PDF ダウンロード | [ 3MBI150U-120 datasheet.PDF ] | |
部品紹介
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3MBI150U-120 データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 また、3MBI150U-120のさまざまなアプリケーション回路とユースケースを使用して独自の設計に統合する方法を理解するのに役立ちます。 |
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| 部品番号 | 部品説明 | メーカ |
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