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IXFT30N40Q の電気的特性と機能

IXFT30N40QのメーカーはIXYSです、この部品の機能は「HiPerFET Power MOSFETs Q-Class」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 IXFT30N40Q
部品説明 HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
メーカ IXYS
ロゴ IXYS ロゴ 




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IXFT30N40Q Datasheet, IXFT30N40Q PDF,ピン配置, 機能
HiPerFETTM
Power MOSFETs
Q-Class
IXFH 30N40Q
IXFT 30N40Q
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt
www.DataSheet4U.com
VDSS
ID25
RDS(on)
= 400 V
= 30 A
= 0.16 W
trr £ 250 ns
Symbol
VDSS
VDGR
VGS
VGSM
ID25
IDM
IAR
EAR
EAS
dv/dt
PD
TJ
TJM
Tstg
TL
Md
Weight
Symbol
VDSS
VGS(th)
IGSS
I DSS
RDS(on)
Test Conditions
TJ = 25°C to 150°C
TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MW
Continuous
Transient
TC = 25°C
TC = 25°C, pulse width limited by TJM
TC = 25°C
TC = 25°C
IS £ IDM, di/dt £ 100 A/ms, VDD £ VDSS,
TJ £ 150°C, RG = 2 W
TC = 25°C
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s
Mounting torque
TO-247
TO-268
Maximum Ratings
400 V
400 V
±20 V
±30 V
30 A
120 A
30 A
30 mJ
1.5 mJ
5 V/ns
300 W
-55 to +150
150
-55 to +150
°C
°C
°C
300 °C
1.13/10 Nm/lb.in.
6g
4g
Test Conditions
Characteristic Values
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
VGS = 0 V, ID = 250 mA
VDS = VGS, ID = 4 mA
400
2.0
VGS = ±20 VDC, VDS = 0
VDS = VDSS
VGS = 0 V
TJ = 25°C
TJ = 125°C
VGS = 10 V, ID = 0.5 ID25
Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %
V
4.0 V
±100 nA
25 mA
1 mA
0.16 W
TO-247 AD (IXFH)
(TAB)
TO-268 (D3) ( IXFT)
G
S
G = Gate D = Drain
S = Source TAB = Drain
(TAB)
Features
l IXYS advanced low Qg process
l Low gate charge and capacitances
- easier to drive
- faster switching
l International standard packages
l Low RDS (on)
l Rated for unclamped Inductive load
switching (UIS) rated
l Molding epoxies meet UL 94 V-0
flammability classification
Advantages
l Easy to mount
l Space savings
l High power density
© 2000 IXYS All rights reserved
98754 (10/00)

1 Page







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PDF
ダウンロード
[ IXFT30N40Q データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
IXFT30N40Q

HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

IXYS
IXYS


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