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IXFH140N10P の電気的特性と機能

IXFH140N10PのメーカーはIXYS Corporationです、この部品の機能は「PolarHV HiPerFET Power MOSFETs」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 IXFH140N10P
部品説明 PolarHV HiPerFET Power MOSFETs
メーカ IXYS Corporation
ロゴ IXYS Corporation ロゴ 




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IXFH140N10P Datasheet, IXFH140N10P PDF,ピン配置, 機能
Advance Technical Information
www.DataSheet4U.com
PolarHVTM HiPerFET
IXFH 140N10P
IXFT 140N10P
Power MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode
Fast Intrinsic Diode; Avalanche Rated
V=
DSS
ID25 =
=RDS(on)
100 V
140 A
11 mΩ
Symbol
VDSS
VDGR
VGSM
ID25
ID(RMS)
I
DM
I
AR
EAR
EAS
dv/dt
P
D
TJ
T
JM
T
stg
TL
Md
Weight
Test Conditions
TJ = 25°C to 175°C
TJ = 25°C to 175°C; RGS = 1 MΩ
TC = 25°C
External lead current limit
T
C
=
25°C,
pulse
width
limited
by
T
JM
T
C
= 25°C
TC = 25°C
TC = 25°C
IS IDM, di/dt 100 A/μs, VDD VDSS,
TJ 150°C, RG = 4 Ω
T
C
= 25°C
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Mounting torque (TO-247)
TO-247
TO-268
Maximum Ratings
TO-247 (IXFT)
100 V
100 V
±20
V
G
DS
140 A
75 A
300 A
TO-268 (IXFT)
60 A
80 mJ
2.5 J
10 V/ns
G
S
D (TAB)
D (TAB)
600
-55 ... +175
175
-55 ... +150
G = Gate
W S = Source
°C
°C
°C Features
D = Drain
TAB = Drain
300 °C
1.13/10 Nm/lb.in.
6.0 g
5.0 g
z International standard packages
z Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
z Low package inductance
- easy to drive and to protect
Symbol
Test Conditions
(T
J
=
25°C,
unless
otherwise
specified)
VDSS
VGS = 0 V, ID = 250 μA
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
100 V
VGS(th)
VDS = VGS, ID = 4.0 mA
3.0 5.0 V
IGSS VGS = ±20 VDC, VDS = 0
±100 nA
IDSS
VDS = VDSS
VGS = 0 V
TJ = 175°C
25 μA
500 μA
RDS(on)
VGS = 10 V, ID = 0.5 ID25
VGS = 15 V, ID = 300 A
Pulse test, t 300 μs, duty cycle d 2 %
11 mΩ
9 mΩ
Advantages
z Easy to mount
z Space savings
z High power density
© 2004 IXYS All rights reserved
DS99213(02/04)

1 Page





IXFH140N10P pdf, ピン配列
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25ºC
140
120
VGS = 10V
9V
100
80
8V
60
7V
40
20
0
0
140
120
6V
0.2 0.4 0.6 0.8 1
VD S - Volts
1.2 1.4 1.6
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150ºC
VGS = 10V
9V
100
8V
80
60 7V
40 6V
20
0
0
5V
0.4 0.8 1.2 1.6 2
VD S - Volts
2.4 2.8 3.2
Fig. 5. RDS(on) Norm alized to 0.5 ID25
Value vs . Drain Curre nt
3
2.75
2.5
2.25
TJ = 175ºC
2
1.75
VGS = 10V
1.5
1.25
VGS = 15V
1
TJ = 25ºC
0.75
0
50 100 150 200 250 300 350
I D - Amperes
© 2004 IXYS All rights reserved
IXFH 140N10P
www.IDXatFaSThee1t44U.0coNm10P
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25ºC
300
270 VGS = 10V
240
210 9V
180
150
8V
120
90
60 7V
30
6V
0
0 1 2 3 V4 D S 5- Vo6lts 7 8 9 10
Fig. 4. RDS(on) Norm alize d to 0.5 ID25
Value vs. Junction Te m perature
2.4
2.2 VGS = 10V
2
1.8
1.6 ID = 140A
1.4
ID = 70A
1.2
1
0.8
0.6
-50 -25
0 25 50 75 100 125 150 175
TJ - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Curre nt vs . Cas e
Tem pe rature
90
80 External Lead Current Limit
70
60
50
40
30
20
10
0
-50 -25
0 25 50 75 100 125 150 175
TC - Degrees Centigrade


3Pages





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[ IXFH140N10P データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
IXFH140N10P

PolarHV HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Corporation
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