DataSheet.jp

SPN4910 の電気的特性と機能

SPN4910のメーカーはSYNC POWERです、この部品の機能は「N-Channel Enhancement Mode MOSFET」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 SPN4910
部品説明 N-Channel Enhancement Mode MOSFET
メーカ SYNC POWER
ロゴ SYNC POWER ロゴ 




このページの下部にプレビューとSPN4910ダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。
Total 8 pages

No Preview Available !

SPN4910 Datasheet, SPN4910 PDF,ピン配置, 機能
SPN4910
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
DESCRIPTION
The SPN4910 is the Dual N-Channel enhancement mode
power field effect transistors are produced using high cell
density , DMOS trench technology. This high density
process is especially tailored to minimize on-state
resistance and provide superior switching performance.
These devices are particularly suited for low voltage
applications such as notebook computer power
management and other battery powered circuits where
high-side switching , low in-line power loss, and
resistance to transients are needed.
APPLICATIONS
z Power Management in Note book
z Portable Equipment
z Battery Powered System
z DC/DC Converter
z Load Switch
z DSC
z LCD Display inverter
FEATURES
‹ N-Channel
40V/10A,RDS(ON)= 20m@VGS= 10V
40V/ 8A,RDS(ON)= 24m@VGS= 4.5V
40V/ 6A,RDS(ON)= 30m@VGS= 2.5V
‹ Super high density cell design for extremely low
RDS (ON)
‹ Exceptional on-resistance and maximum DC
current capability
‹ SOP – 8P package design
PIN CONFIGURATION(SOP – 8P)
www.DataSheet4U.com
PART MARKING
2009/07/28 Ver.1
Page 1

1 Page





SPN4910 pdf, ピン配列
SPN4910
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA=25Unless otherwise noted)
Parameter
Static
Drain-Source Breakdown Voltage
Gate Threshold Voltage
Gate Leakage Current
Zero Gate Voltage Drain Current
On-State Drain Current
Drain-Source On-Resistance
Forward Transconductance
Diode Forward Voltage
Dynamic
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Input Capacitance
Output Capacitance
www.DataSheet4U.com
Reverse Transfer Capacitance
Turn-On Time
Turn-Off Time
Symbol
Conditions
V(BR)DSS VGS=0V,ID=250uA
VGS(th) VDS=VGS,ID=250uA
IGSS VDS=0V,VGS=±20V
VDS=40V,VGS=0V
IDSS VDS=40V,VGS=0V
TJ=85
ID(on) VDS= 5V,VGS =4.5V
RDS(on)
gfs
VGS= 10V,ID=10A
VGS=4.5V,ID= 8A
VGS=2.5V,ID= 6A
VDS=15V,ID=6.2A
VSD IS=2.3A,VGS =0V
Qg
Qgs
Qgd
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
VDS=20V,VGS=4.5V
ID= 5A
VDS=20V,VGS=0V
f=1MHz
VDD=20V,RL=4
ID5.0A,VGEN=10V
RG=1
Min. Typ Max. Unit
40 V
0.5 1.0
±100 nA
1
10 uA
10 A
0.014
0.017
0.024
13
0.020
0.024
0.030
S
0.8 1.2 V
10 14
2.8 nC
3.2
850
110 pF
75
6 12
10 20 nS
20 36
6 12
2009/07/28 Ver.1
Page 3


3Pages


SPN4910 電子部品, 半導体
SPN4910
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
TYPICAL CHARACTERISTICS
www.DataSheet4U.com
2009/07/28 Ver.1
Page 6

6 Page



ページ 合計 : 8 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ SPN4910 データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


共有リンク

Link :


部品番号部品説明メーカ
SPN4910

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

SYNC POWER
SYNC POWER


www.DataSheet.jp    |   2020   |  メール    |   最新    |   Sitemap