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SPN8822 の電気的特性と機能

SPN8822のメーカーはSYNC POWERです、この部品の機能は「Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 SPN8822
部品説明 Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
メーカ SYNC POWER
ロゴ SYNC POWER ロゴ 




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SPN8822 Datasheet, SPN8822 PDF,ピン配置, 機能
SPN8822
Common-Drain Dual N-Channel
Enhancement Mode MOSFET
DESCRIPTION
The SPN8822 is the Common-Drain Dual N-Channel
logic enhancement mode power field effect transistors are
produced using high cell density , DMOS trench
technology. This high density process is especially
tailored to minimize on-state resistance. These devices
are particularly suited for low voltage application ,
notebook computer power management and other battery
powered circuits where high-side switching .
APPLICATIONS
z Power Management in Note book
z Portable Equipment
z Battery Powered System
z DC/DC Converter
z Load Switch
z DSC
z LCD Display inverter
FEATURES
‹ 20V/8.0A,RDS(ON)= 24m@VGS= 4.5V
‹ 20V/7.0A,RDS(ON)= 32m@VGS= 2.5V
‹ 20V/3.0A,RDS(ON)= 42m@VGS= 1.8V
‹ Super high density cell design for extremely low
RDS (ON)
‹ Exceptional on-resistance and maximum DC
current capability
‹ TSSOP – 8P package design
PIN CONFIGURATION(SOP – 8P)
www.DataSheet4U.com
PART MARKING
2007/04/23 Ver.1
Page 1

1 Page





SPN8822 pdf, ピン配列
SPN8822
Common-Drain Dual N-Channel
Enhancement Mode MOSFET
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA=25Unless otherwise noted)
Parameter
Static
Drain-Source Breakdown Voltage
Gate Threshold Voltage
Gate Leakage Current
Zero Gate Voltage Drain Current
On-State Drain Current
Drain-Source On-Resistance
Forward Transconductance
Diode Forward Voltage
Dynamic
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
wwwI.nDpatuatSCheaept4aUc.ictoamnce
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-On Time
Turn-Off Time
Symbol
Conditions
V(BR)DSS VGS=0V,ID=250uA
VGS(th) VDS=VGS,ID=250uA
IGSS VDS=0V,VGS=±12V
VDS=20V,VGS=0V
IDSS VDS=20V,VGS=0V
TJ=55
ID(on) VDS5V,VGS=4.5V
RDS(on)
gfs
VSD
VGS= 4.5V,ID=8.0A
VGS= 2.5V,ID=7.0A
VGS= 1.8V,ID=3.0A
VDS=15V,ID=5.0A
IS=1.0A,VGS=0V
Qg
Qgs
Qgd
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
VDS=10V,VGS=4.5V
ID5.0A
VDS=10V,VGS=0V
f=1MHz
VDD=10V,RL=10
ID1.0A,VGEN=4.5V
RG=6
Min. Typ Max. Unit
20 V
0.4 1.0
±100 nA
1
10 uA
6A
0.020
0.024
0.032
30
0.8
0.024
0.032
0.042
1.2
S
V
10 13
1.4 nC
2.1
600
120 pF
100
15 25
40 60 ns
45 65
30 40
2007/04/23 Ver.1
Page 3


3Pages


SPN8822 電子部品, 半導体
SPN8822
Common-Drain Dual N-Channel
Enhancement Mode MOSFET
TYPICAL CHARACTERISTICS
www.DataSheet4U.com
2007/04/23 Ver.1
Page 6

6 Page



ページ 合計 : 8 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ SPN8822 データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
SPN8822

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

SYNC POWER
SYNC POWER
SPN8822A

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

SYNC POWER
SYNC POWER


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