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WV3EG265M72EFSU-D4 の電気的特性と機能

WV3EG265M72EFSU-D4のメーカーはWhite Electronic Designsです、この部品の機能は「1GB - 2x64Mx72 DDR SDRAM UNBUFFERED」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 WV3EG265M72EFSU-D4
部品説明 1GB - 2x64Mx72 DDR SDRAM UNBUFFERED
メーカ White Electronic Designs
ロゴ White Electronic Designs ロゴ 




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WV3EG265M72EFSU-D4 Datasheet, WV3EG265M72EFSU-D4 PDF,ピン配置, 機能
White Electronic Designs WV3EG265M72EFSU-D4
ADVANCED*
1GB – 2x64Mx72 DDR SDRAM, UNBUFFERED, PLL, FBGA
FEATURES
Unbuffered 200-pin (SO-DIMM), small-outline, dual-
in-line module
Fast data transfer rate: PC-2100, and PC-2700
Clock speeds of 133MHz, and 166MHz
Supports ECC error detection and correction
VCC = VCCQ = +2.5V ± 0.2V(133 and 166MHz)
Bi-directional data strobes (DQS)
Differential clock inputs (CK & CK#)
Programmable Read Latency: DDR 266 (2, 2.5
clock), DDR333 (2.5 clock)
Programmable Burst Length (2, 4, 8)
Programmable Burst type (sequential & interleave)
Edge aligned data output, center aligned data input
Auto and self refresh, 7.8µs refresh interval
(8K/64ms refresh)
Serial presence detect (SPD) with EEPROM
Dual Rank
Leaded & lead-free/RoHS compliant
Gold edge contacts
JEDEC standard 200 pin, small-outline, SO-DIMM
wwwp.DaactkaaSgheeet4U.com
• PCB height option:
31.75 mm (1.25”)
NOTE: Consult factory for availability of:
• RoHS compliant products
• Vendor source control options
• Industrial temperature option
DESCRIPTION
The WV3EG265M72EFSU is a 2x64Mx72 Double Data
Rate SDRAM memory module based on 512Mb DDR
SDRAM components. The module consists of eighteen
64Mx8 DDR SDRAMs in FBGA packages mounted on a
200 pin FR4 substrate.
* This product is under development, is not qualified or characterized and is subject to
change or cancellation without notice.
Clock Speed
CL-tRCD-tRP
OPERATING FREQUENCIES
DDR333@CL=2.5
166MHz
2.5-3-3
DDR266@CL=2
133MHz
2-2-2
DDR266@CL=2.5
133MHz
2.5-3-3
May 2006
Rev. 0
1 White Electronic Designs Corporation • (602) 437-1520 • www.wedc.com

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WV3EG265M72EFSU-D4 pdf, ピン配列
White Electronic Designs WV3EG265M72EFSU-D4
ADVANCED
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
CS1#
CS0#
DQS0
DM0
DQS1
DM1
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQS2
DM2
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQS3
DM3
www.DataSheet4U.com
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DQS8
DM8
CB0
CB1
CB2
CB3
CB4
CB5
CB6
CB7
DM CS# DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS# DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS# DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS# DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS# DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS# DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS# DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS# DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS# DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS# DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
BA0, BA1
A0-A12
RAS#
CAS#
CKE0
CKE1
WE#
BA0, BA1: DDR SDRAMs
A0-A12: DDR SDRAMs
RAS#: DDR SDRAMs
CAS#: DDR SDRAMs
CKE0: DDR SDRAMs
CKE1: DDR SDRAMs
WE#: DDR SDRAMs
VCCSPD
VCC
VREF
VSS
DQS4
DM4
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQS5
DM5
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DQS6
DM6
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DQS7
DM7
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
DM CS# DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS# DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS# DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS# DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS# DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS# DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS# DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS# DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
CK0
CK0#
120
PLL
DDR2 SDRAM X 2
DDR2 SDRAM X 2
DDR2 SDRAM X 2
DDR2 SDRAM X 2
DDR2 SDRAM X 2
DDR2 SDRAM X 2
DDR2 SDRAM X 2
DDR2 SDRAM X 2
DDR2 SDRAM X 2
SPD/EEPROM
DDR SDRAMs SCL
WP
DDR SDRAMs
DDR SDRAMs
SERIAL PD
A0 A1 A2
SA0 SA1 SA2
SDA
NOTE: All resistor values are 22 Ω ±5% unless otherwise specified.
May 2006
Rev. 0
3 White Electronic Designs Corporation • (602) 437-1520 • www.wedc.com


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WV3EG265M72EFSU-D4 電子部品, 半導体
White Electronic Designs WV3EG265M72EFSU-D4
ADVANCED
ICC SPECIFICATIONS AND CONDITIONS
VCC, VCCQ = +2.5V ±0.2V
SYM PARAMETER/CONDITION
DDR333
@CL=2.5
ICC0* OPERATING CURRENT: One device bank; Active-Precharge; tRC = tRC (MIN); tCK = tCK (MIN);
DQ, DM and DQS inputs changing once per clock cycle; Address and control inputs changing
once every two clock cycles
1,270
ICC1* OPERATING CURRENT: One device bank; Active-Read-Precharge; Burst = 4; tRC = tRC (MIN); 1,540
tCK = tCK (MIN); IOUT = 0mA; Address and control inputs changing once per clock cycle
ICC2P** PRECHARGE POWER-DOWN STANDBY CURRENT: All device banks idle; Power-down
mode; tCK = tCK (MIN); CKE = (LOW)
370
ICC2F** IDLE STANDBY CURRENT: CS# = HIGH; All device banks are idle; tCK = tCK (MIN); CKE =
HIGH; Address and other control inputs changing once per clock cycle. VIN = VREF for DQ,
DQS, and DM
820
ICC3P** ACTIVE POWER-DOWN STANDBY CURRENT: One device bank active; Power-down mode;
tCK = tCK (MIN); CKE = LOW
820
ICC3N** ACTIVE STANDBY CURRENT: CS# = HIGH; CKE = HIGH; One device bank active; tRC = tRAS
(MAX); tCK = tCK (MIN); DQ, DM and DQS inputs changing twice per clock cycle; Address and
other control inputs changing once per clock cycle
1,090
ICC4R* OPERATING CURRENT: Burst = 2; Reads; Continuous burst; One device bank active;
Address and control inputs changing once per clock cycle; tCK = tCK (MIN); IOUT = 0mA
1,585
ICC4W* OPERATING CURRENT: Burst = 2; Writes; Continuous burst; One device bank active;
Address and control inputs changing once per clock cycle; tCK = tCK (MIN); DQ, DM, and DQS
inputs changing twice per clock cycle
1,675
ICC5** AUTO REFRESH BURST CURRENT:
tREFC = tRFC (MIN)
3,970
ICC6** SELF REFRESH CURRENT: CKE ≤ 0.2V
370
ICC7* OPERATING CURRENT: Four device bank interleaving READs (Burst = 4) with auto
precharge, tRC = minimum tRC allowed; tCK = tCK (MIN); Address and control inputs change only
during Active READ, or WRITE commands
3,565
Nwowte:wIC.DC sapteaciSfichaetioenti4sUba.sceodmon SAMSUNG components. Other DRAM Manufacturers specification may be different.
*: Value calculated as one module rank in this operating condition, and all other module ranks in ICC2P (CKE LOW) mode.
**: Value calculated reflects all module ranks in this operating condition.
MAX
DDR266
@CL=2
1,180
1,450
370
820
820
1,090
1,450
1,495
3,790
370
3,250
DDR266
@CL=2.5
1,180
UNITS
mA
1,450
370
820
mA
mA
mA
820
1,090
mA
mA
1,450
1,495
mA
mA
3,790
370
3,250
mA
mA
mA
May 2006
Rev. 0
6 White Electronic Designs Corporation • (602) 437-1520 • www.wedc.com

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