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2SD2113のメーカーはInchange Semiconductorです、この部品の機能は「Power Transistor」です。 |
部品番号 | 2SD2113 |
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部品説明 | Power Transistor | ||
メーカ | Inchange Semiconductor | ||
ロゴ | |||
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INCHANGE Semiconductor
www.DataSheet4U.com
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
isc Product Specification
2SD2113
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 120V(Min)
·Collector-Emitter Saturation Voltage-
: VCE(sat)= 1.5V(Max) @IC= 1.5A
·High DC Current Gain
: hFE= 1000(Min) @ IC= 1.5A, VCE= 3V
APPLICATIONS
·Designed for low frequency power amplifier applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
i.cnSYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
.iscsemVCBO
Collector-Base Voltage
120 V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
120 V
wwwVEBO
Emitter-Base Voltage
7V
IC Collector Current-Continuous
3A
ICM Collector Current-Peak
Collector Power Dissipation
@ TC=25℃
PC
Collector Power Dissipation
@ Ta=25℃
TJ Junction Temperature
6A
25
W
2
150 ℃
Tstg Storage Temperature Range
-55~150
℃
isc Website:www.iscsemi.cn
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PDF ダウンロード | [ 2SD2113 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
2SD211 | SILICON POWER TRANSISTOR | SavantIC |
2SD2110 | Power Transistor | Inchange Semiconductor |
2SD2111 | Silicon NPN Triple Diffused Transistor | Hitachi Semiconductor |
2SD2112 | Power Transistor | Inchange Semiconductor |