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IRF630FのメーカーはInchangeです、この部品の機能は「N-Channel MOSFET Transistor」です。 |
部品番号 | IRF630F |
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部品説明 | N-Channel MOSFET Transistor | ||
メーカ | Inchange | ||
ロゴ | |||
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MOSFET
IRF630Fwww.DataSheet4U.com
N-channel mosfet transistor
Features
With TO-220F package
Low on-stateand thermal resistance
Fast switching
VDSS=200V; RDS(ON) 0.4 ;ID=9A
1.gate 2.drain 3.source
Absolute Maximum Ratings Tc=25
SYMBOL
PARAMETER
VDSS
Drain-source voltage (VGS=0)
VGS Gate-source voltage
ID Drain Current-continuous@ TC=25
Ptot Total Dissipation@TC=25
Tj Operating Junction temperature
Tstg Storage temperature
RATING UNIT
200 V
20 V
9A
35 W
150
-65~150
Electrical Characteristics Tc=25
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
V(BR)DSS Drain-source breakdown voltage VGS=0; ID=0.25mA
VGS(TH) Gate threshold voltage
VDS= VGS; ID=1mA
RDS(ON) Drain-source on-stage resistance VGS=10V; ID=5.4A
IGSS Gate source leakage current
VGS= 20V;VDS=0
IDSS Zero gate voltage drain current VDS=200V; VGS=0
VSD Diode forward voltage
IF=9A; VGS=0
INCHANGE
123
TO-220F
MIN MAX UNIT
200 V
2 4V
400 m
100 nA
10 uA
1.2 V
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ページ | 合計 : 1 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ IRF630F データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
IRF630 | 200V/9A POWER MOSFET | TAITRON |
IRF630 | N-channel TrenchMOS transistor | NXP Semiconductors |
IRF630 | N-CHANNEL MOSFET | STMicroelectronics |
IRF630 | 9A/ 200V/ 0.400 Ohm/ N-Channel Power MOSFETs | Intersil Corporation |