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HUR60100PT の電気的特性と機能

HUR60100PTのメーカーはSirectifier Semiconductorsです、この部品の機能は「(HUR60100PT / HUR60120PT) High-Performance Wide Temperature Range Ultra Fast Recovery Epitaxial Diode」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 HUR60100PT
部品説明 (HUR60100PT / HUR60120PT) High-Performance Wide Temperature Range Ultra Fast Recovery Epitaxial Diode
メーカ Sirectifier Semiconductors
ロゴ Sirectifier Semiconductors ロゴ 




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HUR60100PT Datasheet, HUR60100PT PDF,ピン配置, 機能
HUR60100PT, HUR60120PT
High-Performance Wide Temperature Range Ultra Fast Recovery Epitaxial Diode
AC A
C(TAB)
A
C
A
www.DataSheet4AU=.Aconmode, C=Cathode, TAB=Cathode
HUR60100PT
HUR60120PT
VRSM
V
1000
1200
VRRM
V
1000
1200
Dimensions TO-247AD
Dim. Millimeter
Min. Max.
A 19.81 20.32
B 20.80 21.46
C 15.75 16.26
D 3.55 3.65
E 4.32 5.49
F 5.4 6.2
G 1.65 2.13
H - 4.5
J 1.0 1.4
K 10.8 11.0
L 4.7 5.3
M 0.4 0.8
N 1.5 2.49
Inches
Min. Max.
0.780 0.800
0.819 0.845
0.610 0.640
0.140 0.144
0.170 0.216
0.212 0.244
0.065 0.084
- 0.177
0.040 0.055
0.426 0.433
0.185 0.209
0.016 0.031
0.087 0.102
Symbol
Test Conditions
IFRMS
IFAVM
IFSM
EAS
IAR
TC=115oC; rectangular, d=0.5
TVJ=45oC; tp=10ms (50Hz), sine
TVJ=25oC; non-repetitive; IAS=11.5A; L=180uH
VA=1.25.VR typ.; f=10kHz; repetitive
TVJ
TVJM
Tstg
Ptot
TC=25oC
Md mounting torque
Weight typical
Maximum Ratings
70
2 x 30
200
14
1.2
-55...+175
175
-55...+150
165
0.8...1.2
6
Unit
A
A
mJ
A
oC
W
Nm
g

1 Page





HUR60100PT pdf, ピン配列
HUR60100PT, HUR60120PT
High-Performance Wide Temperature Range Ultra Fast Recovery Epitaxial Diode
70
A
60
IF 50
TVJ=150°C
40 TVJ=100°C
TVJ= 25°C
30
www.DataSheet4U.c2o0m
10
0
0 1 2 3 V4
VF
Fig. 1 Forward current IF versus VF
2.0
1.5
Kf
1.0
0.5
IRM
Qr
5
C
4
Qr
TVJ= 100°C
VR = 600V
3 IF= 60A
IF= 30A
2 IF= 15A
1
60
A
50
IRM
40
30
TVJ= 100°C
VR = 600V
IF= 60A
IF= 30A
IF= 15A
20
10
0
100 A/us 1000
-diF/dt
Fig. 2 Reverse recovery charge Qr
versus -di /dt
F
220
ns
200
trr
180
160
TVJ= 100°C
VR = 600V
IF= 60A
IF= 30A
IF= 15A
140
0
0 200 400 600 A8/0u0s 1000
-diF/dt
Fig. 3 Peak reverse current IRM
versus -di /dt
F
120
V
VFR
80
tfr
TVJ= 100°C
IF = 30A
VFR
1.2
us
tfr
0.8
40 0.4
0.0
0
40 80 120 °C 160
TVJ
Fig. 4 Dynamic parameters Qr, IRM
versus T
VJ
2
1
K/W
ZthJC
0.1
120
0 200 400 600 A8/0u0s 1000
-diF/dt
Fig. 5 Recovery time trr versus -diF/dt
0.01
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
Fig. 7 Transient thermal resistance junction to case
0.1 s
t
1
0 0.0
0 200 400 600 A80/u0s 1000
diF/dt
Fig. 6 Peak forward voltage VFR and tfr
versus di /dt
F
Constants for ZthJC calculation ..A:
i
Rthi (K/W)
ti (s)
1 0.465
2 0.179
3 0.256
0.0052
0.0003
0.0397
Constants for Z calculation ..AR:
thJC
i R (K/W) t (s)
thi i
1 0.368
0.0052
2
0.1417
0.0003
3
0.0295
0.0004
4
0.5604
0.0092


3Pages





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部品番号部品説明メーカ
HUR60100PT

(HUR60100PT / HUR60120PT) High-Performance Wide Temperature Range Ultra Fast Recovery Epitaxial Diode

Sirectifier Semiconductors
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