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HUR2X30-120 の電気的特性と機能

HUR2X30-120のメーカーはSirectifier Semiconductorsです、この部品の機能は「(HUR2X30-100 / HUR2X30-120) High-Performance Wide Temperature Range Ultra Fast Recovery Epitaxial Diode」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 HUR2X30-120
部品説明 (HUR2X30-100 / HUR2X30-120) High-Performance Wide Temperature Range Ultra Fast Recovery Epitaxial Diode
メーカ Sirectifier Semiconductors
ロゴ Sirectifier Semiconductors ロゴ 




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HUR2X30-120 Datasheet, HUR2X30-120 PDF,ピン配置, 機能
HUR2x30-100, HUR2x30-120
High-Performance Wide Temperature Range Ultra Fast Recovery Epitaxial Diode
www.DataSheet4U.com
HUR2x30-100
HUR2x30-120
VRSM
V
1000
1200
VRRM
V
1000
1200
Dimensions SOT-227(ISOTOP)
Dim.
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
V
W
Millimeter
Min. Max.
31.50
7.80
31.88
8.20
4.09
4.09
4.29
4.29
4.09
14.91
4.29
15.11
30.12
37.80
30.30
38.20
11.68
8.92
12.22
9.60
0.76
12.60
0.84
12.85
25.15
1.98
25.42
2.13
4.95
26.54
5.97
26.90
3.94
4.72
4.42
4.85
24.59
-0.05
25.07
0.1
3.30
0.780
4.57
0.830
Inches
Min. Max.
1.240
0.307
1.255
0.323
0.161
0.161
0.169
0.169
0.161
0.587
0.169
0.595
1.186
1.489
1.193
1.505
0.460
0.351
0.481
0.378
0.030
0.496
0.033
0.506
0.990
0.078
1.001
0.084
0.195
1.045
0.235
1.059
0.155
0.186
0.174
0.191
0.968
-0.002
0.987
0.004
0.130
19.81
0.180
21.08
Symbol
Test Conditions
IFRMS
IFAVM
IFSM
EAS
IAR
TC=70oC; rectangular, d=0.5
TVJ=45oC; tp=10ms (50Hz), sine
TVJ=25oC; non-repetitive; IAS=12A; L=180uH
VA=1.25.VR typ.; f=10kHz; repetitive
TVJ
TVJM
Tstg
Ptot
TC=25oC
VISOL
50/60Hz, RMS
IISOL<_1mA
Md
mounting torque (M4)
terminal connection torque (M4)
Weight typical
Maximum Ratings
70
30
200
14
1.2
-40...+150
150
-40...+150
110
2500
1.1-1.5/9-13
1.1-1.5/9-13
30
Unit
A
A
mJ
A
oC
W
V~
Nm/lb.in.
g

1 Page





HUR2X30-120 pdf, ピン配列
HUR2x30-100, HUR2x30-120
High-Performance Wide Temperature Range Ultra Fast Recovery Epitaxial Diode
70
A
60
IF 50
T =150°C
VJ
40 TVJ=100°C
TVJ= 25°C
30
www.DataSheet4U.c2o0m
10
0
0 1 2 3 V4
VF
Fig. 1 Forward current IF versus VF
2.0
1.5
Kf
1.0
0.5
IRM
Qr
5
C
4
Qr
TVJ= 100°C
VR = 600V
3 IF= 60A
IF= 30A
2 IF= 15A
1
60
A
50
IRM
40
30
TVJ= 100°C
VR = 600V
IF= 60A
IF= 30A
IF= 15A
20
10
0
100 A/us 1000
-diF/dt
Fig. 2 Reverse recovery charge Qr
versus -diF/dt
220
ns
200
trr
180
160
TVJ= 100°C
VR = 600V
IF= 60A
IF= 30A
IF= 15A
140
0
0 200 400 600 A8/0u0s 1000
-diF/dt
Fig. 3 Peak reverse current IRM
versus -diF/dt
120
V
VFR
80
tfr
TVJ= 100°C
IF = 30A
VFR
1.2
us
tfr
0.8
40 0.4
0.0
0
40 80 120 °C 160
TVJ
Fig. 4 Dynamic parameters Qr, IRM
versus TVJ
10
K/W
1
ZthJC
0.1
120
0 200 400 600 A8/0u0s 1000
-diF/dt
Fig. 5 Recovery time trr versus -diF/dt
0.01
0 0.0
0 200 400 600 A80/u0s 1000
diF/dt
Fig. 6 Peak forward voltage VFR and tfr
versus diF/dt
Constants for ZthJC calculation:
i R (K/W) t (s)
thi i
1 0.436
2 0.482
3 0.117
4 0.115
0.0056
0.0092
0.0007
0.0418
0.001
0.0001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
Fig. 7 Transient thermal resistance junction to case
0.1 s
t
1


3Pages





ページ 合計 : 3 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ HUR2X30-120 データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
HUR2X30-120

(HUR2X30-100 / HUR2X30-120) High-Performance Wide Temperature Range Ultra Fast Recovery Epitaxial Diode

Sirectifier Semiconductors
Sirectifier Semiconductors


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