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STD100 の電気的特性と機能

STD100のメーカーはSirectifier Semiconductorsです、この部品の機能は「Thyristor-Diode Modules」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 STD100
部品説明 Thyristor-Diode Modules
メーカ Sirectifier Semiconductors
ロゴ Sirectifier Semiconductors ロゴ 




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STD100 Datasheet, STD100 PDF,ピン配置, 機能
www.DataSheet4U.com
STD/SDT100
Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules
Type
VRSM
VDSM
V
STD/SDT100GK08 900
STD/SDT100GK12 1300
STD/SDT100GK14 1500
STD/SDT100GK16 1700
STD/SDT100GK18 1900
STD/SDT100GK20 2100
STD/SDT100GK22 2300
VRRM
VDRM
V
800
1200
1400
1600
1800
2000
2200
Dimensions in mm (1mm=0.0394")
Symbol
Test Conditions
I , ITRMS FRMS TVJ=TVJM
I , ITAVM FAVM TC=85oC; 180o sine
TVJ=45oC
ITSM, IFSM
VR=0
TVJ=TVJM
VR=0
TVJ=45oC
i2dt
VR=0
TVJ=TVJM
VR=0
t=10ms (50Hz), sine
t=8.3ms (60Hz), sine
t=10ms(50Hz), sine
t=8.3ms(60Hz), sine
t=10ms (50Hz), sine
t=8.3ms (60Hz), sine
t=10ms(50Hz), sine
t=8.3ms(60Hz), sine
(di/dt)cr
TVJ=TVJM
f=50Hz, tp=200us
VD=2/3VDRM
IG=0.45A
diG/dt=0.45A/us
repetitive, IT=250A
non repetitive, IT=ITAVM
(dv/dt)cr
TVJ=TVJM;
VDR=2/3VDRM
RGK= ; method 1 (linear voltage rise)
PGM
TVJ=TVJM
IT=ITAVM
tp=30us
tp=300us
PGAV
VRGM
TVJ
TVJM
Tstg
VISOL
50/60Hz, RMS
IISOL<_1mA
t=1min
t=1s
Md
Mounting torque (M5)
Terminal connection torque (M5)
Weight Typical including screws
Maximum Ratings
180
100
1700
1800
1540
1640
14450
13500
11850
11300
150
500
1000
10
5
0.5
10
-40...+125
125
-40...+125
3000
3600
2.5-4.0/22-35
2.5-4.0/22-35
90
Unit
A
A
A2s
A/us
V/us
W
W
V
oC
V~
Nm/lb.in.
g

1 Page





STD100 pdf, ピン配列
STD/SDT100
Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules
www.DataSheet4U.com
Fig. 1 Surge overload current
ITSM, IFSM: Crest value, t: duration
Fig. 2 i2dt versus time (1-10 ms)
Fig. 2a Maximum forward current
at case temperature
10
V
VG
1: IGT, TVJ = 125oC
2: IGT, TVJ = 25oC
3: IGT, TVJ = -40oC
Fig. 3 Power dissipation versus on-state current and ambient temperature
(per thyristor or diode)
3
1 2 56
1
4
IGD, TVJ = 125oC
0.1
100 101 102
4: PGAV = 0.5 W
5: PGM = 5 W
6: PGM = 10 W
103 mA 104
IG
Fig. 4 Gate trigger characteristics
1000
TVJ = 25oC
s
tgd
100
typ. Limit
3 x STD/SDT100
10
Fig. 5 Three phase rectifier bridge: Power dissipation versus direct output current
and ambient temperature
3 x STD/SDT100
1
10 100
IG
Fig. 6 Gate trigger delay time
mA 1000


3Pages





ページ 合計 : 4 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ STD100 データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
STD100

Thyristor-Diode Modules

Sirectifier Semiconductors
Sirectifier Semiconductors
STD100GKxx

Thyristor-Diode Modules

Sirectifier Semiconductors
Sirectifier Semiconductors
STD100N03L

N-CHANNEL MOSFET

STMicroelectronics
STMicroelectronics
STD100N03L-1

N-CHANNEL MOSFET

STMicroelectronics
STMicroelectronics


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