DataSheet.jp

PDF 08P06P Data sheet ( 特性 )

部品番号 08P06P
部品説明 SPD08P06P
メーカ Infineon Technologies
ロゴ Infineon Technologies ロゴ 

このページの下部にプレビューと08P06Pダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。

Total 9 pages

No Preview Available !

08P06P Datasheet, 08P06P PDF,ピン配置, 機能
Preliminary data
SPD08P06P
SPU08P06P
SIPMOS® Power-Transistor
Features
Product Summary
· P-Channel
· Enhancement mode
www.DataSheet·4UA.cvomalanche rated
· dv/dt rated
Drain source voltage
VDS -60 V
Drain-source on-state resistance RDS(on) 0.3 W
Continuous drain current
ID -8.8 A
· 175°C operating temperature
Type
SPD08P06P
SPU08P06P
Package Ordering Code
P-TO252 Q67040-S4153
P-TO251-3-1 Q67040-S4154
Maximum Ratings,at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Continuous drain current
TC = 25 °C
TC = 100 °C
ID
Pulsed drain current
TC = 25 °C
ID puls
Avalanche energy, single pulse
ID = -8.8 A , VDD = -25 V, RGS = 25 W
EAS
Avalanche energy, periodic limited by Tjmax
Reverse diode dv/dt
EAR
dv/dt
IS = -8.8 A, VDS = -48 , di/dt = 200 A/µs,
Tjmax = 175 °C
Gate source voltage
Power dissipation
TC = 25 °C
VGS
Ptot
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
Tj , Tstg
Pin 1 PIN 2/4 PIN 3
GDS
Value
-8.8
-6.2
-35.2
70
4.2
6
Unit
A
mJ
kV/µs
±20
42
-55...+175
55/175/56
V
W
°C
Page 1
1999-11-22

1 Page







ページ 合計 : 9 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ 08P06P.PDF ]


共有リンク

Link :


おすすめデータシート

部品番号部品説明メーカ
08P06P

SPD08P06P

Infineon Technologies
Infineon Technologies


www.DataSheet.jp    |   2020   |  メール    |   最新    |   Sitemap