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H7N1002LD の電気的特性と機能

H7N1002LDのメーカーはRenesas Technologyです、この部品の機能は「Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 H7N1002LD
部品説明 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
メーカ Renesas Technology
ロゴ Renesas Technology ロゴ 




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H7N1002LD Datasheet, H7N1002LD PDF,ピン配置, 機能
H7N1002LD, H7N1002LS, H7N1002LM
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
REJ03G1131-0700
(Previous: ADE-208-1573E)
Rev.7.00
Apr 07, 2006
Features
Low on-resistance
www.DataSheet4U.cRoDmS (on) = 8 mtyp.
Low drive current
Available for 4.5 V gate drive
Outline
RENESAS Package code: PRSS0004AE-A
(Package name: LDPAK (L) )
4
123
H7N1002LD
RENESAS Package code: PRSS0004AE-B
(Package name: LDPAK (S)-(1) )
4
123
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
H7N1002LS
RENESAS Package code: PRSS0004AE-C
(Package name: LDPAK (S)-(2) )
4
D
G
123
H7N1002LM
S
Rev.7.00 Apr 07, 2006 page 1 of 8

1 Page





H7N1002LD pdf, ピン配列
H7N1002LD, H7N1002LS, H7N1002LM
Main Characteristics
Power vs. Temperature Derating
200
150
100
www.DataSheet4U.com
50
0
0 50 100 150 200
Case Temperature Tc (°C)
Typical Output Characteristics
50 10 V
4V
40
3.6 V
Pulse Test
30
3.4 V
20
10
VGS = 3 V
0
0 2 4 6 8 10
Drain to Source Voltage VDS (V)
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
1.0
Pulse Test
0.8
0.6
0.4 ID = 50 A
0.2 20 A
10 A
0
0 5 10 15 20
Gate to Source Voltage VGS (V)
Rev.7.00 Apr 07, 2006 page 3 of 8
Maximum Safe Operation Area
1000
300
100
1 ms 1001µ0sµs
30
10 DC Operation
3 (Tc = 25°C)
1 Operation in
PW = 10 ms
(1shot)
0.3 this area is
limited by RDS(on)
0.1
Ta = 25°C
0.03
0.1 0.3 1 3 10 30
100 300
Drain to Source Voltage VDS (V)
Typical Transfer Characteristics
50
VDS = 10 V
Pulse Test
40
30
20 Tc = 75°C
25°C
10
–25°C
0
012345
Gate to Source Voltage VGS (V)
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
50
Pulse Test
20
VGS = 4.5 V
10
5 10 V
2
1
0.5
2
5 10 20 50 100 200
Drain Current ID (A)


3Pages


H7N1002LD 電子部品, 半導体
H7N1002LD, H7N1002LS, H7N1002LM
Switching Time Test Circuit
Vin Monitor
Rg
D.U.T.
Vout
Monitor
RL
Vin
10 V
VDS
= 30 V
www.DataSheet4U.com
Waveform
Vin
Vout
10%
10%
td(on)
90%
tr
90%
90%
td(off)
10%
tf
Rev.7.00 Apr 07, 2006 page 6 of 8

6 Page



ページ 合計 : 9 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ H7N1002LD データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
H7N1002LD

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Renesas Technology
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H7N1002LM

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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H7N1002LS

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Renesas Technology
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