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M25JZ51のメーカーはToshiba Semiconductorです、この部品の機能は「SM25JZ51」です。 |
部品番号 | M25JZ51 |
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部品説明 | SM25JZ51 | ||
メーカ | Toshiba Semiconductor | ||
ロゴ | |||
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SM25GZ51,SM25JZ51
TOSHIBA BI−DIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR ILICON PLANAR TYPE
SM25GZ51,SM25JZ51
AC POWER CONTROL APPLICATIONS
Unit: mm
l Repetitive Peak Off−State Voltage : VDRM = 400, 600V
l R.M.S On−State Current
: IT (RMS) = 25A
l High Commutating (dv / dt)
: (dv / dt) c = 10V / µs
l Isolation Voltage
: VIsol = 1500V AC
www.DataSheet4U.com
MAXIMUM RATINGS
CHARACTERISTIC
SYMBOL
Repetitive Peak
Off−State Voltage
SM25GZ51
SM25JZ51
R.M.S On−State Current
(Full Sine Waveform Tc = 73°C)
VDRM
IT (RMS)
Peak One Cycle Surge On−State
Current (Non-Repetitive)
I2t Limit Value
Critical Rate of Rise
of On−State Current
(Note 1)
Peak Gate Power Dissipation
Average Gate Power Dissipation
Peak Gate Voltage
Peak Gate Current
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Isolation Voltage (AC, t = 1 min.)
ITSM
I2t
di / dt
PGM
PG (AV)
VGM
IGM
Tj
Tstg
VIsol
RATING
400
600
25
230 (50Hz)
253 (60Hz)
260
50
5
0.5
10
2
−40~125
−40~125
1500
UNIT
V
A
A
A2s
A / µs
W
W
V
A
°C
°C
V
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
Weight: 5.9g
―
―
13−16A1A
Note 1: di / dt Test Condition
VDRM = 0.5 × Rated
ITM ≤ 40A
tgw ≥ 10µs
tgr ≤ 250ns
igp = IGT × 2.0
1 2001-07-13
1 Page www.DataSheet4U.com
SM25GZ51,SM25JZ51
3 2001-07-13
3Pages | |||
ページ | 合計 : 5 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ M25JZ51 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
M25JZ51 | SM25JZ51 | Toshiba Semiconductor |