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KTB1234T の電気的特性と機能

KTB1234TのメーカーはKECです、この部品の機能は「EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 KTB1234T
部品説明 EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
メーカ KEC
ロゴ KEC ロゴ 




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KTB1234T Datasheet, KTB1234T PDF,ピン配置, 機能
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
DRIVER APPLICATIONS.
FEATURES
AF amplifier, solenoid drivers, LED drivers.
Darlington connection.
High DC current gain.
Very small-sized package permitting sets to be made
smaller and slimer.
Complementary to KTD1854T.
www.DataSheet4U.com
MAXIMUM RATINGS (Ta=25)
CHARACTERISTIC
SYMBOL RATING
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
DC
Pulse
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC *
Tj
-80
-50
-10
-200
-400
0.9
150
Storage Temperature Range
Tstg -55150
* Package mounted on a ceramic board (600Ὅᴧ0.8)
UNIT
V
V
V
mA
W
EQUIVALENT CIRCUIT
COLLECTOR
BASE
KTB1234T
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
E
KB
23
1
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
MILLIMETERS
2.9 +_0.2
1.6+0.2/-0.1
0.70+_ 0.05
0.4+_ 0.1
2.8+0.2/-0.3
1.9+_ 0.2
0.95
0.16+_ 0.05
0.00-0.10
0.25+0.25/-0.15
0.60
0.55
H
JJ
1. EMITTER
2. BASE
3. COLLECTOR
TSM
Marking
S YType Name
Lot No.
EMITTER
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
Collector-Base Breakdown Voltage
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
DC Current Gain
Collector-Emitter Saturation Voltage
ICBO
IEBO
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
hFE 1
hFE 2
VCE(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
TEST CONDITION
VCB=-60V, IE=0
VEB=-8V, IC=0
IC=-10A, IE=0
IC=-1mA, IB=0
IC=-10A, IC=0
VCE=-2V, IC=-10mA
VCE=-2V, IC=-100mA
IC=-100mA, IB=-100A
IC=-100mA, IB=-100A
2001. 10. 23
Revision No : 0
MIN.
-
-
-80
-50
-10
5000
3000
-
-
TYP.
-
-
-
-
-0.9
-1.5
MAX.
-100
-100
-
-
-1.5
-2.0
UNIT
nA
nA
V
V
V
V
V
1/2

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ページ 合計 : 2 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ KTB1234T データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
KTB1234T

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR

KEC
KEC


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