|
|
3DD13005のメーカーはTRANSYS Electronicsです、この部品の機能は「Plastic-Encapsulated Transistors」です。 |
部品番号 | 3DD13005 |
| |
部品説明 | Plastic-Encapsulated Transistors | ||
メーカ | TRANSYS Electronics | ||
ロゴ | |||
このページの下部にプレビューと3DD13005ダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。 Total 1 pages
Transys
Electronics
LIMITED
TO-220 Plastic-Encapsulated Transistors
3DD13005 TRANSISTOR (NPN)
TO-220
FEATURES
.DataSheet4U.cPomower dissipation
PCM: 1.5 W (Tamb=25℃)
Collector current
ICM: 4 A
Collector-base voltage
V(BR)CBO:
700 V
Operating and storage junction temperature range
1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
123
TJ, Tstg: -55℃ to +150℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test conditions
MIN TYP
Collector-base breakdown voltage
V(BR)CBO
Ic= 1000µA, IE=0
700
Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO
Ic= 10mA, IB=0
400
Emitter-base breakdown voltage
V(BR)EBO
IE= 1000µA, IC=0
9
Collector cut-off current
ICBO VCB= 700V, IE=0
Collector cut-off current
ICEO VCE= 400V, IB=0
Emitter cut-off current
IEBO VEB=9V, IC=0
DC current gain
hFE
VCE= 5V, IC= 1000mA
10
Collector-emitter saturation voltage
VCE (sat) IC=2000mA, IB=500 mA
Base-emitter saturation voltage
Transition Frequency
Fall time
Storage time
VBE (sat)
fT
tf
ts
IC=2000mA, IB= 500mA
VCE=10 V, IC=500mA
f = 1MHz
IB1=-IB2=0.4A, IC=2A
VCC=120V
5
MAX
1000
100
1000
40
0.6
1.6
0.9
4
UNIT
V
V
V
µA
µA
µA
V
V
MHz
µs
µs
CLASSIFICATION OF hFE
Rank
Range
10-15
15-20
20-25
25-30
30-35
35-40
1 Page | |||
ページ | 合計 : 1 ページ | ||
|
PDF ダウンロード | [ 3DD13005 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
3DD13001 | TRANSISTOR | Jiangsu Changjiang Electronics |
3DD13001 | Plastic-Encapsulated Transistors | TRANSYS Electronics |
3DD13001 | NPN Plastic-Encapsulated Transistor | SeCoS |
3DD13001 | NPN Transistors | Kexin |