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FZ800R12KS4 の電気的特性と機能

FZ800R12KS4のメーカーはeupec GmbHです、この部品の機能は「IGBT-Module」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 FZ800R12KS4
部品説明 IGBT-Module
メーカ eupec GmbH
ロゴ eupec GmbH ロゴ 




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FZ800R12KS4 Datasheet, FZ800R12KS4 PDF,ピン配置, 機能
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FZ 800 R12 KS4
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
www.DataSheet4UP.ecroiomdischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
TC = 80°C
TC = 25 °C
tP = 1 ms, TC = 80°C
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
TC=25°C, Transistor
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
tP = 1 ms
Grenzlastintegral der Diode
I2t - value, Diode
VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Vorläufige Daten
Preliminary data
VCES
IC,nom.
IC
ICRM
Ptot
VGES
IF
IFRM
I2t
VISOL
1200
800
1200
1600
6,9
+/- 20V
800
1600
185.000
2.500
V
A
A
A
kW
V
A
A
A2s
V
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
IC = 800 A, VGE = 15V, Tvj = 25°C
IC = 800 A, VGE = 15V, Tvj = 125°C
Gate-Schwellenspannunggate threshold voltage IC = 32 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Eingangskapazität
input capacitance
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Gateladung
gate charge
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V
f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V
VGE = -15V ... + 15V, VCE = 600V
VCE = 1200V, VGE = 0V, Tvj = 25°C
VCE = 1200V, VGE = 0V, Tvj = 125°C
VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C
prepared by: R. Jörke
approved by: Jens Thurau
date of publication : 2000-06-14
revision: 1
1 (9)
VCE sat
min.
-
-
typ.
3,00
3,60
max.
-
-
VGE(th)
4,5
5,5
6,5
V
V
V
Cies - 52 - nF
Cres
- t.b.d. -
nF
QG - 8,4 - µC
ICES
- t.b.d. -
µA
- t.b.d. -
mA
IGES
-
- 400 nA
FZ800R12KS4, preliminary.xls
15.06.00

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FZ800R12KS4 pdf, ピン配列
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FZ 800 R12 KS4
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
www.DataSheet4UH.öccohmstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operation temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Transistor / transistor, DC
Diode/Diode, DC
pro Modul / per module
λPaste = 1 W/m*K / λgrease = 1 W/m*K
Vorläufige Daten
Preliminary data
RthJC
min.
-
-
typ.
-
-
max.
0,018
0,027
K/W
K/W
RthCK
- 0,008 - K/W
Tvj - - 150 °C
Top -40 - 125 °C
Tstg -40 - 150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Material Modulgrundplatte
material of module baseplate
Innere Isolation
internal insulation
Kriechstrecke
creepage distance
Luftstrecke
clearance
CTI
comperative tracking index
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
Gewicht
weight
terminals M4
terminals M8
Cu
AlN
32,2
mm
19,1
mm
> 400
M1 4,25
5,75 Nm
M2 1,7
8
2,3
10,00
Nm
Nm
G
1000
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
3 (9)
FZ800R12KS4, preliminary.xls
15.06.00


3Pages


FZ800R12KS4 電子部品, 半導体
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FZ 800 R12 KS4
Vorläufige Daten
Preliminary data
Schaltverluste (typisch)
Switching losses (typical)
250,0
Eon = f (IC) , Eoff = f (IC) , Erec = f (IC)
RG,on = 1,3 Ω, RG,off = 1,3 , VCE = 600V, Tj = 125°C
www.DataSheet4U.com
200,0
Eon
Eoff
Erec
150,0
100,0
50,0
0,0
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
IC [A]
Schaltverluste (typisch)
Switching losses (typical)
450
400 Eon
Eoff
350 Erec
300
250
200
150
100
50
0
0123
E on = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG)
IC = 800 A , VCE = 600V , Tj = 125°C
4567
RG []
8
6 (9)
FZ800R12KS4, preliminary.xls
15.06.00

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