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PDF B1240 Data sheet ( 特性 )

部品番号 B1240
部品説明 2SB1240
メーカ ROHM Electronics
ロゴ ROHM Electronics ロゴ 

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B1240 Datasheet, B1240 PDF,ピン配置, 機能
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Transistors
2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240
Medium power transistor (32V, 2A)
2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240
!Features
1) Low VCE(sat).
VCE(sat) = 0.5V (Typ.)
(IC/IB = 2A / 0.2A)
2) Complements the 2SD1766 /
2SD1758 / 2SD1862
!Structure
Epitaxial planar type
PNP silicon transistor
!External dimensions (Units : mm)
2SB1188
2SB1182
4.5
+0.2
0.1
1.6±0.1
1.5
+0.2
0.1
6.5±0.2
5.1+−00..21
C0.5
2.3+−00..21
0.5±0.1
(1) (2) (3)
0.4±0.1
1.5±0.1
0.5±0.1
3.0±0.2
0.4±0.1
1.5±0.1
0.4
+0.1
0.05
ROHM : MPT3
EIAJ : SC-62
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
Abbreviated symbol: BC
2SB1240
6.8±0.2
2.5±0.2
0.75
0.9
0.65±0.1
2.3±0.2 2.3±0.2
0.55±0.1
1.0±0.2
(1) (2) (3)
ROHM : CPT3
EIAJ : SC-63
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
0.65Max.
0.5±0.1
(1) (2) (3)
2.54 2.54
1.05
0.45±0.1
ROHM : ATV
!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)
Denotes hFE
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
Limits
40
32
5
2
3
Collector power
dissipation
2SB1188
2SB1182
PC
0.5
2
10
2SB1240
1
Junction temperature
Tj 150
Storage temperature
Tstg 55~+150
1 Single pulse, PW=100ms
2 When mounted on a 40×40×0.7 mm ceramic board.
3 Printed circuit board, 1.7mm thick, collector copper plating 100mm2 or larger.
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
Unit
V
V
V
A(DC)
A(Pulse) 1
W
W 2
W(TC=25°C)
W 3
°C
°C

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部品番号部品説明メーカ
B1240

2SB1240

ROHM Electronics
ROHM Electronics
B1240

2SB1240

ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
B1240B250C1000-700

Diode

American Microsemiconductor
American Microsemiconductor
B1240L

Diode

American Microsemiconductor
American Microsemiconductor


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