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FZ1200R33KF2 の電気的特性と機能

FZ1200R33KF2のメーカーはEupecです、この部品の機能は「IGBT Power Module」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 FZ1200R33KF2
部品説明 IGBT Power Module
メーカ Eupec
ロゴ Eupec ロゴ 




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FZ1200R33KF2 Datasheet, FZ1200R33KF2 PDF,ピン配置, 機能
www.DataSheet4U.com
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FZ 1200 R 33 KF2
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Tj = 25°C
Tj = -25°C
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
TC = 80°C
TC = 25 °C
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
tP = 1 ms, TC = 80°C
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
TC=25°C, Transistor
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
tP = 1 ms
Grenzlastintegral der Diode
I2t - value, Diode
VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C
Spitzenverlustleistung der Diode
maximum power dissipation diode
Tj = 125°C
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Teilentladungs-Aussetzspannung
partial discharge extinction voltage
RMS, f = 50 Hz, QPD 10 pC (acc. to IEC 1287)
Datenblatt
data sheet
VCES
IC,nom.
IC
ICRM
Ptot
VGES
IF
IFRM
I2t
PRQM
VISOL
VISOL
3300
3300
1200
2000
2400
14,7
+/- 20V
1200
2400
500.000
1.200
6.000
2.600
V
A
A
A
kW
V
A
A
A2s
kW
V
V
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
IC = 1200A, VGE = 15V, Tvj = 25°C
IC = 1200A, VGE = 15V, Tvj = 125°C
IC = 120 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Eingangskapazität
input capacitance
f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V
Gateladung
gate charge
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
VGE = -15V ... + 15V, VCE = 1800V
VCE = 3300V, VGE = 0V, Tvj = 25°C
VCE = 3300V, VGE = 0V, Tvj = 125°C
VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C
VCE sat
min.
-
-
typ.
3,40
4,30
max.
4,25
5,00
VGE(th)
4,2
5,1
6,0
V
V
V
Cies - 150 - nF
Cres
-
8
- nF
QG - 22 - µC
ICES - 0,15 12 mA
- 60 150 mA
IGES
-
- 400 nA
prepared by: Jürgen Göttert
approved by: Chr. Lübke; 20.07.99
date of publication : 08.06.99
revision: 3
1 (9)
Datenblatt FZ 1200 R 33 KF2
20.07.99

1 Page





FZ1200R33KF2 pdf, ピン配列
www.DataSheet4U.com
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FZ 1200 R 33 KF2
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operation temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Transistor / transistor, DC
Diode/Diode, DC
pro Modul / per module
λPaste = 1 W/m*K / λgrease = 1 W/m*K
Datenblatt
data sheet
RthJC
min.
-
-
typ.
-
-
max.
0,0085
0,0170
K/W
K/W
RthCK
- 0,004 - K/W
Tvj - - 150 °C
Top -40 - 125 °C
Tstg -40 - 125 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Material Modulgrundplatte
material of module baseplate
Innere Isolation
internal insulation
Kriechstrecke
creepage distance
Luftstrecke
clearance
CTI
comperative tracking index
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
Gewicht
weight
terminals M4
terminals M8
AlSiC
AlN
32,2
mm
19,1
mm
> 400
M1 5 Nm
M2 2 Nm
8 .. 10
Nm
G
1500
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
3 (9)
Datenblatt FZ 1200 R 33 KF2
20.07.99


3Pages


FZ1200R33KF2 電子部品, 半導体
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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FZ 1200 R 33 KF2
Datenblatt
data sheet
Schaltverluste (typisch)
Switching losses (typical)
10000
Eon = f (IC) , Eoff = f (IC) , Erec = f (IC)
RG,on = 1,2 Ω, RG,off = 1,2 , CGE = 220 nF, VCE = 1800V, Tj = 125°C
9000
8000
Eon
Eoff
Erec
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
0
300
600
900
1200
1500
1800
2100
2400
IC [A]
Schaltverluste (typisch)
Switching losses (typical)
12000
10000
8000
Eon
Eoff
Erec
E on = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG)
IC = 1200 A , CGE = 220 nF, VCE = 1800V , Tj = 125°C
6000
4000
2000
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
RG []
6 (9)
Datenblatt FZ 1200 R 33 KF2
20.07.99

6 Page



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PDF
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データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
FZ1200R33KF1

IGBT Power Module

Eupec
Eupec
FZ1200R33KF2

IGBT Power Module

Eupec
Eupec
FZ1200R33KF2-B5

IGBT Power Module

Eupec
Eupec
FZ1200R33KF2C

IGBT Power Module

Eupec
Eupec


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