|
|
GM2310のメーカーはGTMです、この部品の機能は「P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET」です。 |
部品番号 | GM2310 |
| |
部品説明 | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | ||
メーカ | GTM | ||
ロゴ | |||
このページの下部にプレビューとGM2310ダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。 Total 4 pages
www.DataSheet4U.com
Pb Free Plating Product
ISSUED DATE :2006/01/20
REVISED DATE :
GM2310
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
BVDSS
RDS(ON)
ID
60V
90m
3A
Description
The GM2310 utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance, extremely
efficient and cost-effectiveness device.
The GM2310 is universally used for all commercial-industrial surface mount applications.
Features
*Simple Drive Requirement
*Small Package Outline
Package Dimensions
SOT-89
REF.
A
B
C
D
E
F
Millimeter
Min. Max.
4.4 4.6
4.05 4.25
1.50 1.70
1.30 1.50
2.40 2.60
0.89 1.20
REF.
G
H
I
J
K
L
M
Millimeter
Min. Max.
3.00 REF.
1.50 REF.
0.40 0.52
1.40 1.60
0.35 0.41
5°TYP.
0.70 REF.
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current3, VGS@4.5V
Continuous Drain Current3, VGS@4.5V
Pulsed Drain Current1,2
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Operating Junction and Storage Temperature Range
Symbol
VDS
VGS
ID @TA=25
ID @TA=70
IDM
PD @TA=25
Tj, Tstg
Ratings
60
±20
3.0
2.3
10
1.5
0.01
-55 ~ +150
Unit
V
V
A
A
A
W
W/
Thermal Data
Parameter
Thermal Resistance Junction-ambient3 Max.
Symbol
Rthj-a
Value
83.3
Unit
/W
GM2310
Page: 1/4
1 Page www.DataSheet4U.com
Characteristics Curve
ISSUED DATE :2006/01/20
REVISED DATE :
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Output Characteristics
Fig 3. On-Resistance v.s. Gate Voltage
Fig 4. Normalized On-Resistance
v.s. Junction Temperature
Fig 5. Forward Characteristics of
Reverse Diode
GM2310
Fig 6. Gate Threshold Voltage v.s.
Junction Temperature
Page: 3/4
3Pages | |||
ページ | 合計 : 4 ページ | ||
|
PDF ダウンロード | [ GM2310 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
GM2310 | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | GTM |