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G6402のメーカーはGTMです、この部品の機能は「P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET」です。 |
部品番号 | G6402 |
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部品説明 | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | ||
メーカ | GTM | ||
ロゴ | |||
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www.DataSheet4U.com
Pb Free Plating Product
CORPORATION ISSUED DATE :2005/01/17
REVISED DATE :2005/03/22B
G6402
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
BVDSS
RDS(ON)
ID
-20V
65m
-4.2A
Description
The G6402 provides the designer with the best combination of fast switching, low on-resistance and
cost-effectiveness.
The G6402 is universally preferred for all commercial-industrial surface mount applications and suited for low
voltage applications such as DC/DC converters.
Features
Ultra Low RDS(ON)
Fast Switching
Applications
Power Management in Notebook Computer
Portable Equipment
Battery Powered System.
Package Dimensions
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current3
Continuous Drain Current3
Pulsed Drain Current1,2
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Operating Junction and Storage Temperature Range
Symbol
VDS
VGS
ID @TA=25
ID @TA=70
IDM
PD @TA=25
Tj, Tstg
Thermal Data
Parameter
Thermal Resistance Junction-ambient3 Max.
Symbol
Rthj-a
REF.
A
B
C
D
E
F
Millimeter
Min. Max.
2.70 3.10
2.40 2.80
1.40 1.60
0.35 0.50
0 0.10
0.45 0.55
REF.
G
H
K
J
L
M
Millimeter
Min. Max.
1.90 REF.
1.00 1.30
0.10 0.20
0.40 -
0.85 1.15
0 10
Ratings
-20
12
-4.2
-3.4
-10
1.38
0.01
-55 ~ +150
Unit
V
V
A
A
A
W
W/
Ratings
90
Unit
/W
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1 Page CORPORATION ISSUED DATE :2005/01/17
REVISED DATE :2005/03/22B
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ページ | 合計 : 4 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ G6402 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
G6401 | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | GTM |
G6402 | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | GTM |