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GI1182のメーカーはGTMです、この部品の機能は「PNP SILICON EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR」です。 |
部品番号 | GI1182 |
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部品説明 | PNP SILICON EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR | ||
メーカ | GTM | ||
ロゴ | |||
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www.DataSheet4U.com
CORPORATION ISSUED DATE :2005/10/06
REVISED DATE :
GI1182
PNP SILICON EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
The GI1182 is designed for medium power amplifier applications.
Features
Low collector saturation voltage : VCE(sat)=-0.5V(Typ.)
Package Dimensions
TO-251
REF.
A
B
C
D
E
F
Millimeter
Min. Max.
6.40 6.80
5.20 5.50
6.80 7.20
7.20 7.80
2.30 REF.
0.60 0.90
REF.
G
H
J
K
L
M
Millimeter
Min. Max.
0.50 0.70
2.20 2.40
0.45 0.55
0.45 0.60
0.90 1.50
5.40 5.80
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25
Parameter
Symbol
Junction Temperature
Tj
Storage Temperature
Tstg
Collector to Base Voltage
VCBO
Collector to Emitter Voltage
VCEO
Emitter to Base Voltage
VEBO
Collector Current
IC
Collector Current (Pulse, Pw=100ms)
IC
Total Power Dissipation(TC=25 )
PD
Ratings
+150
-55~+150
-40
-32
-5
-2
-3
10
Unit
V
V
V
A
A
W
Electrical Characteristics (Ta = 25 , unless otherwise noted)
Symbol
Min. Typ. Max. Unit
Test Conditions
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
*VCE(sat)
*hFE
fT
Cob
-40 - - V IC=-50uA , IE=0
-32 - - V IC=-1mA, IB=0
-5 - - V IE=-50uA ,IC=0
- - -1 uA VCB=-20V, IE=0
- - -1 uA VEB=-4V, IC=0
-
-500
-800
mV IC=-2A, IB=-200mA
82 - 390
VCE=-3V, IC=-500mA
- 100 - MHz VCE=-5V, IC=-500mA, f=100MHz
- 50 - pF VCB=-10V, IE=0, f=1MHz
Classification Of hFE
* Pulse Test: Pulse Width 380 s, Duty Cycle
Rank
P
Q
R
Range
82 ~ 180
120 ~ 270
180 ~ 390
2%
GI1182
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PDF ダウンロード | [ GI1182 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
GI1182 | PNP SILICON EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR | GTM |